年终手机检阅 2013年旗舰机型大横评

PChome | 编辑: 顾时遥 2014-01-23 06:30:00原创 一键看全文

2013年行将步入尾声,在过去的一年里,年初CES上大量的智能穿戴设备意味着以往只会出现在电影中的“

屏幕工艺好坏早知道

屏幕的制造工艺也是一项对手机影响很大的技术,目前来说,在移动领域主流的屏幕制造工艺技术分为三种,一种是a-si非晶硅技术,一种是夏普开发的igzo技术,最后一种是LTPS低温多晶硅技术,此外还有从LTPS变种而来的技术如CGS等。从工艺的本身的性质来说,最后一种LTPS低温多晶硅工艺的性能是最好的。

非晶硅

a-Si非晶硅

a-si非晶硅工艺是现在使用最广泛的技术,目前来说主要集中在平板、笔记本和液晶电视的等大尺寸屏幕上。而LTPS低温多晶硅技术则主要集中在中小尺寸的屏幕上。其电子迁移率大约在0.5-1cm^2,驱动电路的尺寸约在1英寸左右。

IGZO

IGZO铟镓锌氧化物

IGZO(indium gallium zinc oxide)为铟镓锌氧化物的缩写非晶IGZO材料是用于新一代薄膜晶体管技术中的沟道层材料。IGZO材料由日本东京工业大学细野秀雄最先提出在TFT行业中应用,目前该材料及技术专利主要由日本厂商拥有,IGZO-TFT技术最先在日本夏普公司实现量产。相比a-si非晶硅工艺,IGZO工艺能够实现更高的电子迁移率,同时驱动电路和玻璃基板的尺寸也能做的更小。

激光退火过程

LTPS低温多晶硅

LTPS技术就是现在高端手机中常用的低温多晶硅工艺,其和a-si非晶硅工艺的区别在于要经历一道激光退火的过程,经过激光照射之后非晶硅就会变为多晶硅,同时性能方面大幅度提升,电子迁移率能够达到a-si工艺的200-300倍。

CGS连续颗粒状结晶硅

CGS连续颗粒状结晶硅

CGS即连续粒状结晶硅工艺,由夏普研发,在技术上属于LTPS的一个变种,理论上有着比现有LTPS工艺更好的性能,在电子迁移率的指标上面能够达到LTPS技术的3倍,相比a-si技术更是能够达到600倍。

本次横评我们选了16款机型来测试,因为机型比较多,所以采用了将iPhone 5s作为对比对象的间接对比法。iPhone 5s虽然在分辨率和尺寸上早已落后于时代很多,不过在PPI、色彩、对比度、亮度等方面还是有着不错的表现的,用来做对比也是十分的合适,而究竟实际的结果是否如你所想一般,接下来就为您一一揭开。

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