845DC EVO：针对读取密集型应用
近两年SSD在数据中心的应用成为了热门话题，使得这个市场又产生了一个全新分支，数据中心即Data Center，简写就是“DC”，DC也就成为了那些面向数据中心应用的SSD的标准后缀。比如，英特尔在2012年年底推出的SSD DC S3700系列，美光在今年推出的M500DC系列都是如此。而今天我们要介绍的是三星的845DC EVO系列。
三星面向数据中心推出了两款SSD，其一是845DC EVO系列，其二是845DC PRO系列，前者主要针对读取密集型应用环境，比如视频/流媒体内容、应用程序和Web服务器，后者则是面向写入密集型应用领域，比如金融、银行领域，需要持续的高IO和低延迟指标。
三星845DC EVO
三星845DC EVO采用了和840 EVO以及最新发布的850 PRO一样的MEX主控，它采用三核心Cortex-R4设计，拥有400MHz主频，主控编号为S4LN045X01-8030。该主控此前也被应用在面向系统制造商的PM853T上。缓存方面最大为1GB LPDDR2。
闪存方面，三星845DC EVO采用的是1xnm的3bit MLC Toggle 2.0闪存，也就是TLC闪存。不过和840 EVO不同，它配置了12.7%的预留空间，容量方面则包含240GB、480GB和960GB三种型号。
4颗128GB闪存
我们测试的845DC EVO是480GB型号，它采用了4颗128GB闪存，组成物理512GB的容量。颗粒编号为K9OKGY8S7M-CCK0，这意味着该闪存为8层封装，单层容量为128Gb。
23颗电容用于掉电保护功能
针对数据中心环境中可能发生的突然性的断电和热插拔问题，845DC EVO配置了23颗电容用于掉电保护功能，保证掉电瞬间将待写入的数据完好地写入到闪存中。
性能指标方面，845DC EVO拥有最高530MB/s和410MB/s的持续读写速度，最高87K IOPS的随机读取性能，480GB和960GB在稳定态下提供14K IOPS的随机写入性能。延迟方面，随机4K读取为115us，随机4K写入为55us。寿命指标方面，480GB为300TBW，而960GB为600TBW。
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