845DC EVO：针对读取密集型应用
近两年SSD在数据中心的应用成为了热门话题，使得这个市场又产生了一个全新分支，数据中心即Data Center，简写就是“DC”，DC也就成为了那些面向数据中心应用的SSD的标准后缀。比如，英特尔在2012年年底推出的SSD DC S3700系列，美光在今年推出的M500DC系列都是如此。而今天我们要介绍的是三星的845DC EVO系列。
三星面向数据中心推出了两款SSD，其一是845DC EVO系列，其二是845DC PRO系列，前者主要针对读取密集型应用环境，比如视频/流媒体内容、应用程序和Web服务器，后者则是面向写入密集型应用领域，比如金融、银行领域，需要持续的高IO和低延迟指标。
三星845DC EVO
三星845DC EVO采用了和840 EVO以及最新发布的850 PRO一样的MEX主控，它采用三核心Cortex-R4设计，拥有400MHz主频，主控编号为S4LN045X01-8030。该主控此前也被应用在面向系统制造商的PM853T上。缓存方面最大为1GB LPDDR2。
闪存方面，三星845DC EVO采用的是1xnm的3bit MLC Toggle 2.0闪存，也就是TLC闪存。不过和840 EVO不同，它配置了12.7%的预留空间，容量方面则包含240GB、480GB和960GB三种型号。
4颗128GB闪存
我们测试的845DC EVO是480GB型号，它采用了4颗128GB闪存，组成物理512GB的容量。颗粒编号为K9OKGY8S7M-CCK0，这意味着该闪存为8层封装，单层容量为128Gb。
23颗电容用于掉电保护功能
针对数据中心环境中可能发生的突然性的断电和热插拔问题，845DC EVO配置了23颗电容用于掉电保护功能，保证掉电瞬间将待写入的数据完好地写入到闪存中。
性能指标方面，845DC EVO拥有最高530MB/s和410MB/s的持续读写速度，最高87K IOPS的随机读取性能，480GB和960GB在稳定态下提供14K IOPS的随机写入性能。延迟方面，随机4K读取为115us，随机4K写入为55us。寿命指标方面，480GB为300TBW，而960GB为600TBW。
845DC EVO的常规峰值性能测试
测试方面，我们将分为常规跑分测试、模拟轻负载数据库应用环境的测试，以及性能持久性的测试三个部分。
常规跑分测试讲求的是峰值性能，当然这并非企业级SSD诉求的指标，仅仅作为理论参考。测试软件包括CrystalDiskMark、ATTO Disk Benchmark、AS SSD Benchmark、Anvil's Storage Benchmark以及PCMark 7。
CrystalDiskMark是一款来自日本开发者开发的硬盘测试工具，简单易用，可以测试1MB和512KB文件大小的连续读写速度、4KB随机读写速度和32位队列深度下的4KB随机读写速度。CrystalDiskMark软件测试涉及LBA寻址空间不超过4GB，默认为1GB文件测试五次取最佳值。
CrystalDiskMark测试结果
AS SSD Benchmark是一款来自德国的SSD专用测试软件，可以测试连续读写、4KB随机读写和响应时间的表现，并给出一个综合评分。同时该软件还自带一个Compression Benchmark项目，是针对支持数据压缩主控设计的，它可以给出一个曲线，描述随着数据模型中可压缩数据占有率（压缩比）的增高，性能的变换情况。
AS SSD测试总分1069
ATTO Disk Benchmark是一款简单易用的速率检测软件，可以用来检测硬盘，U盘，存储卡及其它可移动磁盘的读取及写入速率，该软件使用了不同大小的数据测试包，数据包按0.5K，1.0K，2.0K直到到8192.0KB进行分别读写测试，测试完成后数据用柱状图的形式表达出来，可以很好地说明SSD在不同文件大小长度下速度的表现。
ATTO测试成绩
Anvil's Storage Utilities是一个专门为SSD测试而设计的软件，它正在迅速成为最新的事实上的硬盘和固态硬盘标准检测程序之一，因为它提供了很大的可定制性。应用户要求，这项标准检测程序已经被添加到ServeTheHome的测试程序中。它提供类似 AS SSD Benchmark 测试结果汇总得分功能。
Anvil得分4929
PCMark方面我们依然选择首先使用PCMark 7，毕竟这依然是目前流行的整机性能测试软件，它采用脚本测试的方式模拟实际使用情况，并且存储部分针对SSD的应用做了一些多任务测试，但是不会需要很高的队列深度，对SSD不会造成太大的负载，主要基于随机读写操作，能够更加准确地表现我们系统实际应用时的效能。
PCMark 7得分5469
作为仅采用TLC闪存的产品，三星845DC EVO 480GB的峰值性能还是非常出众的，空盘状态下，4KB QD32下的随机读写性能可以达到355MB/s和329MB/s，PCMark 7的得分为5469。此外它没有采用TurboWrite技术，这也是为了降低延迟。
模拟轻负载数据库应用环境测试
模拟轻负载数据库应用环境的测试，数据库的特点是压缩率超高，经常可以压缩到原先10%左右的体积。在Anvil's Storage Utilities中给出的典型值为8%。测试中，我们使用8KB数据长度，设置4GB数据范围，然后我们测试QD1~QD16的队列深度，记录带宽和延迟。
对比SSD使用的是消费级的三星840 EVO 250GB，由于它带有TurboWrite技术，因此在单纯的写入速度方面确实比845DC EVO更快，不过后者的优势主要体现在混合随机读写测试下，而这更加符合数据中心的应用环境，包括平均延迟和最大延迟，这都是消费级定位的SSD所无法比拟的。
性能持久性带宽延迟测试和总结
我们使用IOMeter软件，首先在全部可用空间下写入测试样本文件，然后进行30个1分钟的4KB QD32的随机写入测试，并全部使用Pseudo Random数据样本，通过记录每分钟的成绩绘制成曲线图，观察SSD的性能趋势，带宽以及延迟变化。
通过与三星840 PRO和840 EVO这种消费级SSD对比，作为针对数据中心读取密集型应用环境设计的845DC EVO系列，在写入延迟方面也同样有较大的优势。在长达30分的4KB QD32随机写入测试中，845DC EVO的最大延迟仅为8ms左右，运行30分钟之后的写入速度依然有62.6MB/s即16K IOPS的表现。
三星845DC EVO系列
总结：随着数据中心对存储需求的不断细分，DC SSD市场的发展速度也非常迅猛，在这个市场中，能够占据优势的只有那些在产业链端拥有垂直整合能力的供应商，英特尔如此，美光如此，三星更是如此，845DC EVO的推出是针对数据中心应用中读取密集型的工作环境设计的，从评测中我们已经看到了它的低延迟，结合MEX主控和LPDDR2缓存所带来的，以及在840 EVO上验证了的低功耗表现，已经率先采用的TLC闪存，845DC EVO在这个新兴市场中的优势将完美凸显。
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