最新的144层堆叠对比两年前的64层堆叠，可靠性、最大写入量已经提升4倍，读取负载QoS提升最多50％，底层写入性能提升最多40％。
在2020内存存储日活动上，英特尔公布了六款全新内存、存储产品。其中面向数据中心市场的SSD D7-P5510、SSD D5-P5316，还有全球首发144层堆叠的QLC NAND闪存，支持PCIe 4.0。
Intel虽然已经将NAND闪存业务和工厂卖给SK海力士，但是交易并未完成，Intel既有路线图也会继续执行，同时交易也不涉及傲腾技术和产品，Intel会持续推进。
2016年，Intel推出了第一代32层堆叠TLC闪存，次年翻番到64层并进化为TLC颗粒，存储密度提高了133％，2019年来到96层，存储密度提高约50％，而如今的144层再次将存储密度提高了约50％。
仅仅5年的时间，Intel就将闪存存储密度增加了超过4倍，单位成本自然也是成倍降低。
虽然很多人对QLC不屑一顾(就像当初对TLC)，不过Intel强调，如今的QLC闪存已经在平均故障间隔时间、平均温度、质保寿命、不可修复错误率(UBER)、数据持久性等质量与可靠性指标上看齐TLC，并且兼容同样的集成电路设计，大大简化升级换代。
而最新的144层堆叠对比两年前的64层堆叠，可靠性、最大写入量已经提升4倍，读取负载QoS提升最多50％，底层写入性能提升最多40％。
回到产品层面，SSD D7-P5510主要针对云存储应用，采用15m 2.5英寸U.2形态，容量3.84TB、7.68TB，持续读写性能最高7000MB/s、4194MB/s，比上代(D7-P4510)提升118％、35％，4K随机读写性能最高930K IOPS、190K IOPS，比上代提升45％、41％，混合随机读写性能400K IOPS，比上代提升50％，读写延迟86us、16us，比上代提升14％。
另外，它支持每天一次全盘写入(上代0.85次)，而且特别值得一提的是，TRIM恢复时间从超过30秒缩短到不足0.1秒，也就是暂停读写的几乎一瞬间，就能恢复满血状态。
技术特性方面支持改进的健康监控与管理、动态多重命名空间、针对云负载优化的新算法、端到端数据保护、意外掉电保护、企业级安全等。
以下是和竞品PCIe 4.0 SSD的对比，看看就好。
SSD D5-P5316则有U.2 15mm、E1.L两种形态，后者最大容量可达惊人的30.72TB，主要面向热存储而优化。
它的持续读取性能最高为6.8GB/s，比上代(D5-P4326)提升2倍多，4K随机读取最高800K IOPS，比上代提升38％，但未公布写入性能。
寿命方面，支持3000次编程/擦写循环，30.72TB型号的终身最大写入量为18940TB，是上代的4倍多。
利用该SSD，数据中心厂商可以在1U服务器内实现405TB(U.2)或者1PB(E1.L)的总存储容量，从而大大降低TCO成本。
Intel SSD D7-P5510将在本季度出货，SSD D5-P5316明年上半年出货，价格均未公开。
网友评论