目前ASML已经完成了NXE:5000系列的高NA EUV曝光系统的基本设计，至于设备的商业化，要等到至少2022年，而等到台积电和三星拿到设备要在2023年。
据之前的消息，目前台积电正在筹集资金，向ASML购买更先进制程的EUV光刻机，为了新制程做准备。
在不久前举办的线上活动中，欧洲微电子研究中心IMEC首席执行官兼总裁Luc Van den hove在线上演讲中表示，在与ASML公司的合作下，更加先进的光刻机已经取得了进展。
Luc Van den hove表示，IMEC的目标是将下一代高分辨率EUV光刻技术高NA EUV光刻技术商业化。由于此前得光刻机竞争对手早已经陆续退出市场，目前ASML把握着全球主要的先进光刻机产能，近年来，IMEC一直在与ASML研究新的EUV光刻机，目前目标是将工艺规模缩小到1nm及以下。
目前ASML已经完成了NXE:5000系列的高NA EUV曝光系统的基本设计，至于设备的商业化，要等到至少2022年，而等到台积电和三星拿到设备要在2023年。
与此同时，台积电在材料上的研究，也让1nm成为可能。台积电和交大联手，开发出全球最薄、厚度只有0.7纳米的超薄二维半导体材料绝缘体，可望借此进一步开发出2纳米甚至1纳米的电晶体通道。
据悉，台积电正为2nm之后的先进制程持续觅地，包含桥头科、路竹科，均在台积电评估中长期投资设厂的考量之列。
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