海思已经对下一代的芯片产品有了规划，新款旗舰芯片将被称为麒麟9010，该芯片会采用3nm工艺，而这种工艺目前仅存在于纸面上，即便是台积电方面也尚未开始量产。
【PChome手机频道资讯报道】据推特消息人士称，海思已经对下一代的芯片产品有了规划，新款旗舰芯片将被称为麒麟9010，该芯片会采用3nm工艺，而这种工艺目前仅存在于纸面上，即便是台积电方面也尚未开始量产。
华为方面可能对下一代芯片做好了规划，但目前的制造技术尚未突破到3nm工艺之中。台积电方面也曾经表明，其计划在2022年下半年开始3nm工艺的量产。显然2021年的3nm工艺并不会出现在市场之中，其成熟度还远远达不到量产标准。
台积电的3nm工艺节点技术先进，各方面表现都给人留下了深刻的印象。它将使晶体管密度提高70％，能够在有限的面积上封装更多的晶体管，这对于芯片非常重要，当下最顶级的5nm工艺芯片，所集成的晶体管数量超过100亿个，若是继续集成更多的晶体管，工艺技术的升级势在必行。
根据预测，3nm工艺能够带来25％至30％的功耗降低，性能上会有着提高10％至15％。而这些升级仅仅是在工艺层面上的，在该工艺下所支持下的新架构设计，将会让芯片容纳更多的晶体管，性能方面会有进一步的升级。
或许华为的下一代芯片确实计划采用3nm工艺，但麒麟9010如果在2021年正式商用的话，3nm工艺恐怕就是天方夜谭了。在3nm工艺之外，台积电正在开发一种N4工艺，这可能会是4nm工艺，也可能是目前5nm工艺的改进技术，该工艺将在2022年初投入量产。
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