在ISSCC 2023大会上，AMD向外媒分享了一些关于第二代3D芯片堆叠技术的细节。
得益于颠覆性的3D芯片堆叠技术，AMD Ryzen9 7950X3D已成为目前最强的游戏处理器之一。在ISSCC 2023大会上，AMD向外媒分享了一些细节。据介绍，这颗Chiplet芯片仍采用7nm工艺，但峰值带宽提高到了2.5TB/s，而初代3DV-Cache峰值带宽为2TB/s。
AMD第二代3DV-Cache技术将一颗额外的L3 SRAM芯片直接堆叠在计算芯片(CCD)芯片的中心，从而将其与温度较高的核心隔离开来。这颗芯片为它带来了96MB 3D缓存，从而提高了对延迟敏感类应用程序的性能表现，比如游戏。
AMD新一代的L3 SRAM芯片依然坚持采用了7nm工艺，但它需要堆叠在更小的5nmZen4CCD上。这就造成了尺寸不匹配，因此需要进行一些修改，最终大幅提高了其晶体管密度。与之前一样，这颗额外的L3 SRAM缓存带来了4 clock的时钟信号延滞，但L3芯片和基本芯片之间的带宽增加到2.5TB/s，比之前的2TB/s提高了25%。这颗L3 SRAM芯片通过两种类型的TSV硅通孔连接到基础模芯片部分。其中Power TSV负责传输能量，Signal TSV负责传输数据。
在第一代L3 SRAM芯片设计中，两种类型的TSV都位于基础芯片的L3区域，然而随着5nm工艺的改进，基础芯片上的L3缓存部分的面积现在有所减少。因此，即使7nm的L3SRAM芯片面积更小，它现在也与L2缓存(前一代只重叠了L3缓存部分)发生重叠，所以AMD不得不改变基本芯片和L3 SRAM芯片中的TSV连接设计，将Power TSV从L3扩展到L2区域。对于基础芯片，AMD在L3缓存、数据路径和控制逻辑上实现了0.68倍的有效面积缩放（与旧的7nm芯片相比），因此L3缓存中TSV物理空间更小。Signal TSV依然保留在基础芯片上的L3缓存区域内，但AMD通过应用从第一代设计中学到的知识以及DTCO改进，将L3缓存中的TSV区域缩小了50%，以减少新接口设计中的额外电路。
（图片来源于互联网）
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