英伟达下一代GeForce RTX 50系游戏显卡曝光，将采用台积电3nm制程。
英伟达下一代GeForce RTX 50系游戏显卡（代号Blackwell）预计将会在明年年底正式亮相，目前关于该系列的显卡已经带来了更多爆料。将采用最新的台积电3nm工艺，同时采用DisplayPort 2.1标准。
据知名爆料人Kopite7kimi透露，英伟达正在准备Blackwell GPU，该GPU将应用于RTX 50系显卡，并将基于台积电的3nm工艺制造。最新的3nm工艺技术将提供25-30%的功耗降低，每个晶体管的性能增加10-15%，面积减少42%，密度增加1.7倍。不过目前尚不确定Blackwell GPU使用哪个特定的3nm制程，特别是目前台积电还在进行制程优化。
此外，RTX 50系列显卡还将带来一系列升级，包括将使用GDDR7内存解决方案，使用更佳先进的DisplayPort 2.1接口，这将使其与AMD自去年以来提供的Radeon RX 7000系GPU一致。此外，该显卡有望升级到PCIe 5.0协议，带来更高的带宽和性能支持。
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