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取代目标各有不同
三种新兴存储技术各具特点，PRAM、MRAM和FRAM在未来具有不同的取代目标。
英特尔公司认为，一旦DRAM和闪存遇到无法超越的工艺缩小极限，这些新兴技术就将成为它们的替代品。许多技术专家认为闪存可能在45nm或35nm时达到极限。一般手机采用的是256Mb的分立式NOR闪存，在成本敏感的手机中也可能是128Mb。Rattner认为，英特尔将目前的128Mb产品只作为NOR替代品的目标是“非常恰当的”，他同时补充道：“该产品确实展示了相变技术的性能潜力。”
飞思卡尔认为，目前的情况是不同类型的存储器适合不同的应用和产品。在可预知的将来，这种情况还会继续。这些界限的消除取决于成本、性能、容量等因素。随着技术的成熟，MRAM占据的市场空间有望增加。所有这些存储器技术都基于CMOS，因此具有一些共同之处。然而，每种存储技术都具有独特的处理步骤。东芝MRAM产品相关负责人在接受《中国电子报》记者采访时直截了当地表示，MRAM主要的替代对象是DRAM。大多数移动设备的存储器架构，是由高速作业用存储DRAM和虽然速度慢、但存储容量较大的闪存构成的。而MRAM速度快、可反复擦写，因此最适合作为高速作业用存储器。又因为MRAM不会挥发，所以不用像DRAM一样升级更新，因此可以把电力消耗降低至1/10以下。
FRAM一般被认为是异步SRAM的取代品。Lee Brown对此表示认同，与此同时，他表示在需要FRAM存储器的高性能应用领域方面，FRAM也可替代一部分EEPROM和FLASH器件。新的数据记录要求使得一些设计人员在以往使用EEPROM和FLASH器件的场合选用FRAM。在许多情况下，利用FRAM特性，能够改进客户的最终产品。
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