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大规模商用尚需时日
相比较而言，在各种新兴存储技术中，FRAM的商用步伐最快。例如，迄今为止，Ramtron公司已经在全球范围交付了超过1.5亿个FRAM器件，而
且数量还在继续增加。但是，即使这些技术的坚定支持者也不得不承认，价格、容量等因素仍然是横亘在大规模商用道路上的“大山”。
Objective Analysis公司首席闪存分析师Jim Handy表示：“虽然PRAM、MRAM、FRAM(铁电RAM)等所有这些技术都被吹嘘成闪存达到工艺极限时的替代品，但闪存的工艺极限仍然在不断缩小。”
飞思卡尔公司负责人认为MRAM的大规模商用取决于其性能和价格。“不过目前产品还处在高价位，如何在保证高性能的同时降低成本是我们关注的问题。”这位负责人不得不承认。东芝公司负责人则认为MRAM的大规模商用取决于产品的大容量化，如果MRAM被大容量化，那么就一定可以获得与DRAM相匹敌的市场规模。
Ramtron公司对目标市场的预期在10亿美元左右，该市场的组成包括：EEPROM和SRAM市场替代部分，以及由FRAM技术能力所带来的新商机。不过Lee Brown也承认，市场的发展势头决定着FRAM存储密度曲线上行的快慢速度。
三种新存储技术
PRAM：一种非易失性存储技术，基于硫族材料的电致相变，以前在批量生产时总是难以获得稳定性。相变材料可呈现晶态和非晶态两种状态，分别代表了0和1，只要施加很小的复位电流就可以实现这两种状态的切换。
MRAM：一种非挥发性的磁性随机存储器，所谓“非挥发性”是指关掉电源后，仍可以保持记忆完整，功能与FLASH雷同；而“随机存取”是指中央处理器读取资料时，不一定要从头开始，随时可用相同的速率，从内存的任何部位读写信息。MRAM运作的基本原理与硬盘驱动器相同。和在硬盘上存储数据一样，数据以磁性的方向为依据，存储为0或1。它存储的数据具有永久性，直到被外界的磁场影响之后，才会改变这个磁性数据。它拥有静态随机存储器SRAM的高速读取写入能力以及动态随机存储器DRAM的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
FRAM：一种非易失性存储技术。FRAM的核心技术是铁电晶体材料。这一特殊材料使得铁电存储产品同时拥有随机存取存储器(RAM)和非易失性存储产品的特性。铁电晶体材料的工作原理是，当把电场加到铁电晶体材料上，晶阵中的中心原子会沿着电场方向运动，到达稳定状态。晶阵中的每个自由浮动的中心原子只有两个稳定状态。一个用来记忆逻辑中的0，另一个记忆1。中心原子能在常温、没有电场的情况下停留在此状态达一百年以上。铁电存储器不需要定时刷新，能在断电情况下保存数据。由于在整个物理过程中没有任何原子碰撞，FRAM拥有高速读写、超低功耗和无限次写入等超级特性。
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