来自IBM公司的消息称，“高电介质金属栅极”（High-K Mental Gate）技术已经有了新的突破，IBM的研发团队经过长期的努力，开发出一种称为“High-K Gate-First”的全新制造工艺，这使得32纳米芯片高电介质金属栅极技术成为可能，如果不不出意外的话，2009年下半年，IBM的合作伙伴AMD、特许半导体（Chartered）、飞思卡尔（Freescale）、英飞凌（Infineon）、三星（Samsung）将会开始在自己的芯片制造上采用32纳米级别的高电介质金属栅极技术。
IBM官方表示，新的技术将会让芯片的性能得到全面的提升，与此同时功耗却能够得到有效的控制，无论是家用游戏机芯片、桌面级的处理器还是用于企业的服务器处理器都将以IBM开发的高电介质金属栅极技术为起点得到更快的发展。这种先进的制造工艺使得芯片制造更加高效，而对于芯片本身来说，由于制造工艺的进步，功耗减少了45%以上，而且工作电压也得到了明显的降低，而性能的提升则在30%以上，这 对于现有的芯片技术是一种非常强大的冲击，而对于英特尔来说，压力将会非常巨大。
IBM目前已经利用新的高电介质金属栅极技术，在互补金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor-CMOS）技术的配合之下成功的开发出了第一片静态随机存取记忆体（Static Random Access Memory-SRAM）芯片，实测功耗非常的低，达到了预期的效果。
英特尔在45纳米制造工艺中就已经引入了高电介质金属栅极技术，这使英特尔新一代处理器芯片的性能得到了30%的提升，而功耗却下降了30%，不过IBM目前开发出的32纳米高电介质金属栅极技术同样具有非常重要的意义，AMD等合伙伙伴将“受益匪浅”。
IBM半导体研究与发展中心副总裁Gary Patton表示：“新的高电介质金属栅极技术已经被证明是一项非常出色的制造工艺，能够提供给用户更好更强的芯片产品，最终受益的不仅是芯片制造业，而是整个IT产业。对于AMD来说，新的32纳米芯片制造技术将使其在2010年的竞争中抢得先机，而目前要做的就是紧咬英特尔不放。
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