三星电子宣布首次在业内采用50纳米工艺开发出了16Gb容量的NAND闪存。三星电子半导体部的总裁兼CEO黄昌圭对此表示，半导体产业正在进入闪存时代。
三星电子宣布首次在业内采用50纳米工艺开发出了16Gb容量的NAND闪存。三星电子半导体部的总裁兼CEO黄昌圭对此表示，半导体产业正在进入闪存时代。
除了50纳米工艺外，三星电子还准备利用所谓的3D晶体管结构在明年下半年投入批量生产。届时，存储卡制造商可通过在单一卡上组合多达16个这样的芯片，制造出容量达32GB的存储卡，从而成为微型硬盘的替代品。
“NAND闪存技术的进步将导致需求增长和闪存时代的到来。”黄昌圭说，“NAND实际上已成为任何便携式产品的关键存储媒体。”他甚至认为，NAND闪存最终将取代其它存储媒体，特别是在那些便携式移动应用中，而市场对NAND闪存的需求将以前所未有的速度急剧增长。
当三星在2002年预言存储媒体将发生转变时，市场调研公司曾预测到2005年NAND闪存的销售额将达17亿美元左右。然而现在的事实是，三星预计今年全球NAND闪存的销售额将高达94亿美元。
并且，在今年第一季度，NAND闪存的销售额首次超过了NOR闪存。市调公司iSuppli认为在可预见的将来都将保持这种局面。该公司表示，消费电子对于低成本固态存储的需求似乎难以满足，将继续推动NAND销量的增长。2005年NAND的销售额将超过NOR，在总体闪存销售额中所占的比例略高于50%；而到2007年，NAND将占总体闪存销售额的61%。
对于NAND闪存的需求主要源自闪存卡、USB驱动器和MP3播放器市场。相比之下，NOR闪存主要面向无线和嵌入式产品市场，尤其是手机市场。
NOR闪存的市场空间可能缩小
在2004年以前，手机上的存储器还以NOR为主。凭借大容量和低成本的优势，今年NAND开始向手机市场发起猛烈的进攻，并迅速攻城掠地，NAND也因此在整个闪存市场打了一个漂亮的翻身仗。
在过去的11个月里，英特尔、Spansion和意法半导体(ST)等面向手机市场的主要NOR闪存供应商处境非常艰难。市场竞争导致产品平均单价急剧下滑，加上手机市场趋于成熟和近期没有新的应用刺激增长，削弱了供应商投资工艺或产能的动力。
NOR供应商正在极力提高存储密度，比如采用多位单元技术。在他们完成向下一代先进闪存光刻、即90纳米的过渡之后，他们现有的200毫米工厂很可能拥有足够的晶圆产能，在2010年以前满足手机市场的需求。
这可能会造成一个比较尴尬的局面，即NOR产能空间足够，但市场需求不旺。如果这种状况持续恶化，NOR供应商唯一的选择就是不断削减现有产品的成本。相继而来的问题是：所有的厂商将来会继续留在这个行业里吗？某些小型供应商肯定会被迫出局，因为追求增长的大型厂商将会把注意力投向以前由较小的供应商所占据的较小的市场领域。
也就是说，随着NOR闪存市场空间的缩小，其供应商数量可能会下降，这应该引起手机制造商的关切。长期以来，手机制造商一直享受着比较有利的价格。如果NOR闪存供应商数量下降到不足以支持手机需求的程度，手机制造商应该采取怎样的对策？
在过去几年里，NAND一直被吹捧为手机中NOR的替代者。但将来是否有充足的NAND用来填补NOR供应商出走之后所留下的空白？
iSuppli公司认为，答案是否定的。由于NAND供应商正把产能转向面向移动存储应用的高密度产品，手机应用所需要的的低密度NAND的供应正在减少；并且即便有低密度产品供应，价格也较高。
与DRAM一样，老式的NAND产品正淡出市场，只有少数密度最高的器件得以维系。除非NAND供应商准备为这些器件开出极具吸引力的价格，否则手机制造商可能因价格过高而无法采用NAND闪存。
实际上，NOR供应商也在密切关注整个闪存市场的需求和供应情况，尤其当苹果电脑与三星电子签订长期供应协议之后。这些事实应该足以刺激手机制造商非常认真地考虑未来的内存采购计划。
预计NOR供应商下一步推出的新品可能是与NAND相似的产品，或是能满足非易失性和快速读写等多种要求的新型内存技术。
NAND闪存的供应与价格预测
根据iSuppli发布的NAND闪存厂商排名，2005年第二季度，三星的市场份额已经达到55%，比第二名东芝的市场占有率高出一倍多。位居三、四、五名的分别是Hynix、瑞萨和ST。
三星主要提供读写速度更快的SLC产品，近年来不断利用DRAM的产能转产NAND，加大NAND闪存的生产比例。在工艺方面今年三星导入了73纳米工艺生产4Gb产品，今年9月又推出采用50纳米工艺生产的16Gb NAND闪存，三星在成本上的竞争优势是其它厂商所难以匹敌的。
东芝主攻MLC市场，主要供应日本市场。它与Sandisk合资兴建晶圆厂，今年8月开始大幅提高NAND闪存产能，计划将月产量由8月份的4.5亿片(按等值64Mb换算)提高到今年年底的7.5亿片。
三星和东芝在NAND闪存工艺和容量上的不断推进使NAND市场的进入门槛提高，新进入者的市场发展并不顺利，美光2Gb产品推出时间延迟，英飞凌取得以色列SAIFU N-bit闪存技术，推出了512MB产品，但量产速度及兼容性并不如预期。
NAND价格变化主要受供需平衡的影响。从需求方看，NAND闪存的主要需求来自于数码相机、MP3播放器/PMP、PDA及手机等。目前的趋势看，除了PDA，其它采用NAND闪存的产品都还处于成长期。In-Stat称2009年MP3播放器出货量将由2004的2,780万只上升到2009年的1.09亿只。IDC发布的预测报告则表明数码相机在2005-2007年都将保持上升趋势，预计2006年全球数码相机出货量达到9,400万台。苹果的最新产品放弃微型硬盘，改投闪存的怀抱，预示着未来消费类便携式产品将是闪存的天下。更为重要的是，智能手机、照相手机和音乐手机的出货量将大幅增加，根据IMS的研究，2009年MP3手机的出货量为4.46亿支，照相手机出货量在2010年更是达到6亿只的高峰。Semico预计NAND闪存2008年将达到389亿美元的市场规模。
从供应方分析，闪存的价格受以下几个因素的影响。
1、 DRAM产能不断向NAND转换。
NAND工艺有80%与DRAM相同，因此DRAM生产线可以较为方便地转产NAND闪存。由于70%以上DRAM市场来自于PC产业，而全球PC的成长率有限，因此DRAM产能向NAND转换在所难免。根据日经BP的统计，2004年NAND闪存的产值已经占到了DRAM产值的30%，而在2003年，这一比例才仅为21%。
2、 技术进步导致成本降低。
NAND闪存技术的进步包括两个方面，一方面是工艺的推进，包括采用更大的晶圆，更细微的制造工艺等。存储器厂商投入12英寸最为积极，全球12英寸晶圆年产量排名前十位的厂商中，存储器厂商占了6席。三星、东芝等NAND闪存均已采用12英寸晶圆生产线进行生产。90纳米工艺是NAND闪存的必争之地，三星和东芝在2004年就已经采用90纳米工艺生产NAND闪存，Hynix、美光等2005年才刚引入90纳米工艺，三星和东芝又向73纳米挺进。另一方面，SLC向MLC转变将导致成本下降。Hynix和ST今年上半年已经开始生产MLC产品，NAND巨头三星也将于今年下半年生产MLC。
3、 供应商众多引起竞争加剧。
目前已有ST、Hynix、美光等厂商进入NAND市场，虽然他们的市场占有率加起来还不到20%，但过量的产能已经并将长期影响NAND的价格。以去年第三季度为例，当ST和Hynix开始合作生产基于0.12微米工艺的512Mb NAND时，NAND的价格马上在2004年7、8月下跌了30%。今年第二季度，美光扩充了产能，再加上第二季度的淡季效应，使NAND的价格又下跌了30%。
Kingmax董事长刘福州认为，由于工艺的推进、供需平衡，最乐观的情况是：NAND闪存的成本将以每年33%的幅度下降。由于向MLC产品的演变，NAND闪存的成本将在此基础上再下降15%，即以48%的幅度下降，这是最可能出现的情况。然而由于竞争加剧，NAND闪存的成本可能再下降10%，因此，最悲观的估计是，NAND闪存的成本每年将下降60%。
“NAND闪存的毛利率已经由2004年的45-50%下降到今年的30-35%。进入2006年，半导体产业成长趋缓，供过于求的状况更是雪上加霜，估计要到2007和2008年闪存价格的下降幅度才能趋缓。”刘福州补充道。
要想了解最新最精彩的数码产品资讯，请点击进入 PChome数码中心
如果对PCHOME数码中心有任何建议、意见或问题，或者有任何资讯、合作内容， 欢迎发邮件或致电021－644802167 *228联系，我们会 尽快给予回复，并且感谢大家对PChome数码中心一贯的关注和支持 ！
网友评论