由于寻址方式的不同也造成了寻址能力差异。NOR的寻址与DRAM几乎相同，因此可以实现快速的随机寻址，速度大约在50至80纳秒（ns）。而NAND虽然可以以字节或字（Word，一般用于16bit的芯片上）为单位寻址，但传输的单位是页，所以要经过页面寄存器（因为NAND晶体管的串联架构使读出放大器的信号会非常微弱，所以要用寄存器进行稳定输入）进行传输，从数据输往寄存器到寄存器开始通过I/O端口传输数据，首页周期一般在20至25微秒（us，1us=1000ns）之间。可见，NOR的随机访问能力是NAND所不能比拟的。也正是因为这一点，使得NOR闪存具备了XIP功能（eXecute In Place，本地执行），可以执行代码程序，NAND由于随机寻址速度太慢，显然不能担此重任。
在擦除操作方面，NAND以块为单位进行整体擦除，NOR的擦除单位也是按区域进行（这是闪存的一个重要特征），但这个区域一般要比NAND的块大（NOR厂商对擦除区域一般除了称之为块外，还有Sector的叫法），基本为64或128KB。而NAND的块最大为64KB（4Gbit芯片），一般为16KB，这意味着NOR要擦除的容量要比NAND更大。另外，在擦除操作上NOR要比NAND更繁琐（要先将块内的数据重置为“0”）。这样，在擦除速度上，NAND就要明显占优势。NOR的擦除时间大约在0.6至5秒钟，而NAND在则在2毫秒（ms），可见差距之大。由于在闪存的写入必须要在空白或已经擦除的区域里进行，所以擦除后写的操作十分普遍，尤其是在进行文件更新时更是如此，所以在写入性能上，NOR相对于NAND就居于劣势。
在读取速度上，由于NOR与NAND都支持连续读取（NOR称之为突发读取/传输，NAND只是在第一页面的读取时延迟较大，连续起来后就不受寄存器中转的影响了），所以速率主要取决于工作频率，目前NAND的主流工作频率在20-33MHz之间，NOR方面则要更高一些，目前已经有74MHz甚至更高频率的NOR闪存出现。因此，在读取性能方面，NOR目前占有一定的优势。
小提示：NAND闪存增加页面和块容量的目的
NAND闪存的读取写入的容量单位都是页，从NAND的结构上看，扩大页容量并不是为了满足总容量的扩展，页面数量的增多虽然会增大寻址的信息，但只需增加寻址信息的传输周期即可解决，因此增加页面和块容量主要是出于对性能的考虑。在新一代大容量NAND闪存中，2KB的页面容量已经标准化，那么其相对于小页面容量有什么性能上的优势呢？下面我们就来分析一下。
1、读取性能
NAND的读取步骤是，发送命令和寻址信息——将数据传向页面寄存器——数据从寄存器通过I/O端口传出。2KB页面容量时的计算公式为：
6 cycles（寻址周期，命令+地址信息） x 50ns（每一周期用时） + 25 µs（而数据传向寄存器用时） + 2112 cycles（2112字节所需要的传输周期） x 50ns（每周期用时）= 131 µs。
折合有效带宽：2112字节/131 µs=16.1MB/s
512字节页面容量时的结果如下：
4cycles（寻址周期，命令+地址信息） x 50ns（每一周期用时） + 25 µs（而数据传向寄存器用时） +528 cycles（528字节所需要的传输周期） x 50ns（每周期用时） = 51.6 µs。
折合有效带宽：528字节/51.6µs=10.2MB/s。
可见，2KB容量时，读取时的有效带宽是512字节时的1.6倍。
2、写入性能
NAND的写步骤是，发送寻址信息——将数据传向页面寄存器——发送命令信息——数据从寄存器写入相关的页面。2KB页面容量时的计算公式为：
5 cycles x 50ns（寻址周期） + 2112 cycles（2112字节所需要的传输周期） x 50ns（每周期用时）+ 1 cycle （命令传输）x 50ns（每一周期用时）+ 200µs （页写入周期）= 306 µs。
折合有效带宽：2112字节/306µs=6.9MB/s
512字节页面容量时的结果如下：
3 cycles（寻址周期） x 50ns（每一周期用时） +528 cycles（528字节所需要的传输周期） x 50ns（每周期用时）+ 1 cycle （命令传输）x 50ns（每一周期用时）+200µs（页写入周期）= 226.6 µs。
折合有效带宽：528字节/226.6 µs=2.3MB/s。
可见，2KB容量时，读取时的有效带宽是512字节时的3倍。
3、擦除性能
NAND的擦除步骤是，发送命令和块地址信息——进行擦除。2KB和512字节页面容量时的计算公式为：
4 cycles（命令+地址信息传输周期） x 50ns（每周期用时）+ 2ms（块擦除用时）= 2ms
此时，2KB时块容量为128KB（一块包含64个页面），512字节的块容量是16KB（一块包含32个页面）。
2KB时的擦除速度为：128KB/2ms=64MB/s
512字节时的擦除速度为：16KB/2ms=8MB/s
两者相差了8倍。由此可见，大容量的NAND闪存通过采用大页面容量和大容量块的设计，在性能较以往产品有了明显的提升。
另外需要指出的是，位宽的提高也会起到扩展带宽的效果（这一点NOR也适用），上述的性能分析是以8bit位宽产品为例，如果换成16bit，2KB页面容量时读、写的带宽就分别变为：27MB/s和8.3MB/s，也因此成为了那些高速高容量闪存卡的首选！
本文转自存储时代 作者:赵效民
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