NOR与NAND闪存之间在市场上的较量一直没有停止过，但是由于两者的个性都比较明显，所以在所针对的应用领域方面倒并没有太多的冲突。不过，这种“平稳”的局面近年来有所打破，而对于某一领域的开发商仍然要关注两者的不同以做出正确的选择。
第2页：存取设计的异同
存取设计的异同
NAND闪存的存储单元可以分为页和块（Block），每个块包含32个页面（2KB页容量时，就是64个页面），存储阵列包含多少个块则视容量而定，比如128Mbit时就是1024个块，4Gbit时就是4096个块（此时的页容量为2KB）。
由于在架构上与DRAM很相似，NOR的寻址与传统DRAM也很像，分为逻辑Bank地址（如果是单Bank架构就没有）、行地址和列地址，一个时钟周期内全部搞定。而NAND则与Rambus DRAM的寻址方式相似，在寻址时NAND通过8条数据I/O接口传输地址信息包，即使是16bit的芯片也是只使用8位用于地址信息的传输，视芯片容量要占用3至4个时钟周期。
虽然在DRAM方面也有页面一说（等同于行），但它从来没有像NAND这样将其定义为一个基本的存储单元，因此在寻址时页面也就变成了一个重要的地址信息。NAND的地址信息包括列地址（页面中的起始操作地址）、块地址和相应的页面地址，由于芯片内的总页面数为“每块的页面数X块数”（如有1024个块，每块32个页面，就意味着共有32768个页面），所以在某些文档中，页面也被称为“行”，这样寻址的信息也就可以减化为行与列地址。
NAND闪存采用地址包的方式进行寻址，本例为128Mbit芯片，这里可以将第二和第三周期所传输的信息理解为行地址
我们都知道，DRAM的容量扩大后，地址线也会相应增加，NOR闪存也是如此，但是当页面容量扩大和总容量扩大后，由于列与块的增多，NAND的寻址信息也相应增加，从而要占用更多的寻址周期，这也是NAND闪存的一大特点——容量越大，寻址周期越长。
4Gbit NAND闪存芯片的寻址信息（页面容量2KB）
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