NOR与NAND闪存之间在市场上的较量一直没有停止过，但是由于两者的个性都比较明显，所以在所针对的应用领域方面倒并没有太多的冲突。不过，这种“平稳”的局面近年来有所打破，而对于某一领域的开发商仍然要关注两者的不同以做出正确的选择。
第1页：芯片逻辑架构上的差异
芯片逻辑架构上的差异
本文是《让我们谈谈NVRAM》专题的一部分
NOR与NAND闪存之间在市场上的较量一直没有停止过，但是由于两者的个性都比较明显，所以在所针对的应用领域方面倒并没有太多的冲突。不过，这种“平稳”的局面近年来有所打破，而对于某一领域的开发商仍然要关注两者的不同以做出正确的选择。
NOR与NAND的“个性”化特征始于两者的内在设计的区别。从架构上看，NOR闪存的设计明显与传统的DRAM相似，地址线与数据线是独立的。而NAND则是共用的，这也是其与NOR型闪存的最大不同之处。
NOR闪存的架构图，地址线与数据线是独立的
NAND闪存的架构图，数据与地址线共用是其一大特点
而从存储阵列的设计上，我们更能发现巨大的差异。NOR闪存的阵列很像传统的DRAM，大多也划分了逻辑Bank（有的厂商称之为分区——Partition），但与DRAM不同的是，逻辑Bank的大小根据设计有时会不相同。至于NAND的阵列设计，则完全是另一回事。
NOR闪存阵列大多划分了逻辑Bank，与DRAM架构很相似
NAND闪存的阵列模型，与传统的DRAM截然不同，图为8bit位宽128Mbit芯片
看到NAND的设计是不是很奇怪？NAND引入了存储页面（Page）的概念，而每一页面的真实数据容量都是512字节的倍数。目前2Gbit以下容量的NAND闪存大多是512字节的页面容量（老的产品是256字节），2Gbit或以上容量的NAND闪存则将页容量扩大到2048字节（2KB，部分1Gbit产品也采用了2KB的页容量）。不过，事实上，每个页面还包括了相应的ECC校验数据。512字节时需要16个字节校验码（页面总容量528字节），2048时则需要64字节的校验数据（总页面容量为2112字节）。之所以这样（真实数据容量是512字节的倍数），是因为NAND的设计在很大程度上受到了硬盘的影响。因为在设计之初，东芝就是为了让NAND闪存能在某些场合取代硬盘作为存储设备，从而对硬盘的扇区设计进行了兼容。我们知道，硬盘的扇区容量就是512字节，而且硬盘上每个扇区也都有自己额外的校验数据区，这些都被NAND所借鉴了。
网友评论