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除了让计算机运行得更快，石墨烯器件还能用于需要高速工作的通信技术和成像技术。有关专家认为，石墨烯很可能首先应用于高频领域，如太赫兹波成像，其一个用途是用来探测隐藏的武器。然而，速度还不是石墨烯的惟一优点。硅不能分割成小于10纳米的小片，否则其将失去诱人的电子性能。与硅相比，石墨烯分割成一个纳米的小片时，其基本物理性能并不改变，而且其电子性能还有可能异常发挥。
研究成果陆续发布
马里兰大学纳米技术和先进材料中心的物理学教授Michael S. Fuhrer领导的科研小组的实验表明，石墨烯的电子迁移率不随温度而改变。他们在50开氏度和500开氏度之间测量了石墨烯的电子迁移率，发现无论温度怎么变化，电子迁移率大约都是150000 cm2/Vs。而硅的电子迁移率为1400 cm2/Vs。电子在石墨烯中的传输速度比硅快100倍，因而未来的半导体材料是石墨烯而不是硅。这将使开发更高速的计算机芯片和生化传感器成为可能。他们还首次测量了石墨烯中电子传导的热振动效应，实验结果显示，石墨烯中电子传导的热振动效应非常微小。
中科院数学与系统科学研究院明平兵研究员及合作者刘芳、李巨的计算结果表明，预测石墨烯的理想强度为110GPa～121GPa。这意味着石墨烯是目前人类已知的最为牢固的材料。
美国哥伦比亚大学James Hone和Jeffrey Kysar研究组在2008年7月《科学》杂志中宣布，石墨烯是现在世界上已知的最为坚固的材料。他们发现，在石墨烯样品微粒开始碎裂前，其每100纳米距离上可承受的最大压力达到约2.9微牛。这一结果相当于，施加55牛顿的压力才能使1米长的石墨烯断裂。
如果能制作出厚度相当于塑料包装袋（厚度约100纳米）的石墨烯，那么需要施加约两万牛顿的压力才能将其扯断。这意味着石墨烯比钻石还要坚硬。
2008年9月26日的《科学》杂志上公布，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室固态量子信息实验室的博士生蔡伟伟赴美国得克萨斯大学奥斯丁分校期间，在Rodney Ruoff教授和陈东敏研究员指导下，制备出高品质13C同位素合成石墨, 还进一步把13C-石墨解离成13C-石墨烯及其衍生物13C-氧化石墨烯。分析这种材料揭示出了争议已久的氧化石墨烯化学结构。
低噪声 石墨烯晶体管
2008年3月IBM沃森研究中心的科学家在世界上率先制成低噪声石墨烯晶体管。
普通的纳米器件随着尺寸的减小，被称做1/f的噪音会越来越明显，使器件信噪比恶化。这种现象就是"豪格规则(Hooge's law)"，石墨烯、碳纳米管以及硅材料都会产生该现象。因此，如何减小1/f噪声成为实现纳米元件的关键问题之一。IBM通过重叠两层石墨烯，试制成功了晶体管。由于两层石墨烯之间生成了强电子结合，从而控制了1/f噪音。IBM华裔研究人员Ming-Yu Lin的该发现证明，两层石墨烯有望应用于各种各样的领域。
2008年5月美国乔治亚科技学院教授德希尔与美国麻省理工学院林肯实验室合作在单一芯片上生成的几百个石墨烯晶体管阵列。
2008年6月底日本东北大学电通信所末光真治教授在硅衬底上生成单层石墨膜, 即石墨烯。可在不缩小情况下实现器件高速度工作，例如可用于制作每秒1012赫兹级高频器件和超级微处理器。单层石墨膜很难制作，为厚度仅为一个碳原子的蜂窝状石墨结构。末光教授的团队控制碳化硅形成时的结晶方向和硅衬底切割的结晶方向，得到100×150平方微米面积的两层石墨膜，其晶格畸变率仅为 1.7%。其他科研团队利用传统方法的晶格畸变率为20%，因而不能制成可实际应用的器件。末光教授的方法是将碳化硅衬底在真空条件下加热至1000多度，除去硅而余下的碳，通过自组形式形成单层石墨膜。
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