自从Intel的Core i7、Core i5发布以来，我们评测室陆续收到来自Intel、华硕、技嘉、微星、映泰的共5块的P55主板了， 在这里我们试图从这5块P55主板中寻找P55主板共同点、寻找属于P55主板的特色，从而揭示P55主板带来的设计变革与其今天对主板发展的影响。
丰富的MOSFET
传统的D PAK或是D2PAK封装的MOSFET在超高频开关电路中，由于ESL、ESR、散热等问题已经不再适用了，因此必须选择电气特性更佳、更利于散热MOSFET。在P55主板上，我们能看到多种封装形式的MOSFET出现，在此，我们便看一下这些MOSFET的掠影。
Intel原厂的DP55KG主板，采用ON Semiconductor出品的SO-8封装MOSFET。
微星P55-80GD上使用的QFN封装的、集成驱动器（driver）的MOSFET，即所谓的DrMOS。
映泰Tpower I55主板上采用了DirectFET封装的MOSFET，由于采用的金属外壳进行封装，因此能提供更佳的散热能力。
华硕P55主板上的LFPAK封装的MOSFET，由于空间有限，MOSFET的驱动器是放置在主板背面。
由于篇幅问题，我们在此就不逐一介绍这些MOSFET，留待各款主板评测再来细说。
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