虽然在今年上半年已成功流片，但由于技术难度较高，第一代3nm工艺已推迟到2022年上半年量产，第二代3nm工艺将会在2023年量产。
在前几日的圆晶代工论坛上，三星电子公布了新版的技术路线图，这意味着三星将继续开发先进半导体制造技术，与台积电（TSMC）和英特尔竞争晶圆代工市场。据了解，三星在3nm制程节点引入了全新的GAAFET全环绕栅极晶体管工艺，分为早期的3GAE以及3GAP。
虽然在今年上半年已成功流片，但由于技术难度较高，第一代3nm工艺已推迟到2022年上半年量产，第二代3nm工艺将会在2023年量产。MBCFET多桥-通道场效应晶体管工艺是GAAFET工艺的全新形式，不但保留了GAAFET工艺的优点，而且兼容之前的FinFET工艺技术，新版技术路线图中的2nm制程节点（MBCFET）将于2025投入生产。
三星表示，与原来的5nm工艺相比，首个采用采用MBCFET工艺的3nm GAA制程节点的芯片面积减少了35%，性能提高30%或功耗降低50%。除了功耗、性能和面积（PPA）上的改进，随着制程技术成熟，3nm工艺的良品率将会接近4nm工艺。竞争对手之一的英特尔在Intel 7/4/3制程节点仍依赖FinFET，最早会在2024年才转向新型晶体管（称为RibbonFET）。另一个竞争对手台积电在N4和N3制程节点仍使用FinFET，要到N2制程节点才引入GAA工艺，大概会在2024年投入生产。
除此以外，三星还介绍了用于CIS、DDI、MCU的17LPV工艺，即Low Power Value的17nm工艺。这是28nm工艺的演进版，在28nm工艺基础上加入了14nm工艺使用的FinFET工艺技术，以相对低成本享受到新的技术优势。与原来的28nm工艺相比，芯片面积可减少43%，性能提高39%或功耗降低49%。