CES开幕前，OCZ就已经抢先公布了自己的新品固态存储阵容，其中的性能王者要数使用PCI-E
x8接口的Z-DRIVE系列，现在我们就来看看会场中的产品真容。
Z-DRIVE新品中的最顶级产品是针对企业市场的Z-DRIVE e88，使用Indilinx闪存控制器，LSI RAID控制器和SLC闪存颗粒，容量512GB或1TB，标称读写速度达到1.5GB/s读，1.4GB/s写。会场上展示的则是低一档的p88，换用MLC颗粒，控制器方案则仍然是Indilinx+LSI，标称速度1.3GB/s读，1.2GB/s写。
可以看到，这块1TB容量的“固态存储卡”使用了两层PCB，8组16条（512GB版为单层4组）标准的SODIMM笔记本内存插槽，只不过其中插入的是“NAND闪存条”而非DRAM内存条。据称这样的方案可以节约成本，并且一旦部分闪存出现损坏还可以随时更换。
每组闪存条搭配一颗Indilinx
Barefoot闪存控制器和缓存，1TB版共有8颗，再集合到LSI控制芯片组建RAID。根据会场上一台双路服务器系统的实地测试，其在CrystalDiskMark中测得的读取速度“只有”580MB/s，写入速度778MB/s。ATTO则测出64MB区块读取713MB/s，写入1039MB/s，均低于标称值。看来在固态存储时代，这些传统硬盘测试软件已经不适应性能成倍提升的新概念SSD，无法给出一个统一准确的结果。
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