TOP7—超频内存
内存超频分两种：1、直接超频率，比如将内存工作在异步状态，CPU FSB为333，内存频率为400；2、更改内存参数，只有这两种配合才能达到比较好的状态，下面就是一些关于内存超频的资料，大家可以看看
内存超频的实现方法：一是内存同步，即调整CPU外频并使内存与之同频工作。二是内存异步，即内存工作频率高出CPU外频。
1.一般的内存超频
目前大多数主板使用的都是Phoenix-Award、AMI两家的BIOS。虽然不同品牌主板的BIOS会有差异，但优化内存的一些基本设置是相似的，多在“Advanced Chipset Features(高级芯片组特性)”或“Frequency/Voltage Control(频率/电压控制)”选项里，其中CAS Latency、RAS to CAS Delay和RAS Precharge Time三项决定着内存速度和性能如图：
决定着内存速度和性能的选项
CAS Latency是内存CAS信号延迟时间，可选值为2、2.5或3，延迟数值越小，系统读取内存数据时的速度就越快。一般系统默认SDRAM内存的CL值设为3，DDR内存的CL值设为2.5；而RAS To CAS Delay和RAS Precharge Time，则分别是内存RAS到CAS的延迟时间、预充电所需的周期时间，数值越小越好。
2.特殊的内存超频
(1)内存异步技术
在内存同步工作模式下，内存的运行速度与CPU外频相同。内存异步则是指两者的工作频率可存在一定差异。该技术可令内存工作在高出或低于系统总线速度33MHz或3:4、4:5(内存:外频)的频率上。有了这个法宝，你就可以缓解以前系统超频时经常受限于内存的“瓶颈”。
在支持内存异步的主板芯片组中，Intel有810～875系列，而威盛的693以后的芯片组也提供了类似的功能。
让内存运行在333MHz
以典型的VIA KT333主板为例，进入BIOS后找到“DRAM Clock(内存时钟频率)”选项，即有“Host Clock(总线频率和内存工作频率同步)、Hclk-33M(总线频率减33M)、Hclk+33M等三种模式。超频内存时就可以酌情选择最后一项，使内存的工作频率比系统外频高出33MHz，充分挖掘内存的超频潜力并提升系统性能。
(2)内存交错技术
内存交错(DRAM Bank Interleave)是威盛(VIA)芯片组用来提升内存性能的一种技术，能提供更多的传输管道与更高的内存频宽，使内存在同一时间内能同时进行多个写/读的操作，从而有效地提高系统性能。内存交错运行模式主要有2路交错(2-Bank Interleave)和4路交错(4-Bank Interleave)两种。出于保证系统稳定的考虑，很多基于VIA芯片组的主板在默认情况下关闭了内存交错模式或默认最多以2路方式来运行。进行内存性能的优化时，你可在BIOS中通过简单设置将其打开激活。
以威盛的一款P4PB 400主板为例，进入BIOS后在“Frequency/Voltage Control”中找到“Bank Interleave(通道交错)”一项，这里有“Disable(禁用)、2 Bank、4 Bank”等三种模式。要优化内存，当然要选择“4 Bank”来提升内存性能。
编辑短评：真正能够提升多少呢？或许测试后并无太大差异，真的为这一针对超频大人们的贴心设计而捏一把汗呀~！
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