日本尔必达公司近日宣布成功开发出了DRAM业界首款使用HKMG技术的2Gbit密度LPDDR2 40nm制程级别DRAM芯片产品。HKMG技术即指晶体管的栅极绝缘层采用高介电常数（缩写为high-k即HK）材料，栅电极采用金属材料（Metalgate即MG）。采用这种技术的晶体管可减小栅漏电流并提升晶体管
日本尔必达公司近日宣布成功开发出了DRAM业界首款使用HKMG技术的2Gbit密度LPDDR2 40nm制程级别DRAM芯片产品。HKMG技术即指晶体管的栅极绝缘层采用高介电常数（缩写为high-k即HK）材料，栅电极采用金属材料（Metalgate即MG）。采用这种技术的晶体管可减小栅漏电流并提升晶体管的新能。
此前一些逻辑集成电路厂商如Intel，三星等已经开始使用HKMG技术的晶体管，不过存储集成电路方面由于HKMG栅极成型后还需要经历高温处理过程（容易导致金属材料性质变异），加上DRAM电路结构的复杂性（相比逻辑电路用晶体管还需增加电容单元），使HKMG技术在DRAM产品上很难得以应用。而尔必达则宣称成功解决了这两个问题。
应用HKMG技术之后，尔必达的LPDDR2产品晶体管的栅绝缘层厚度相比常规的SiO2绝缘层降低了30%，晶体管的驱动电流值则增加了1.7倍，待机状态电流则降低到了现有水平的1/100，因此极大地减小了LPDDR2产品待机状态的能耗。
尔必达还计划在其更多的高速/节能型移动内存芯片产品上推广HKMG技术。
另外，尔必达还将继续评估将HKMG技术应用到其30/25nm节点制程的可能性。有关的样品则将在2011财年开始对外发货，产品的量产则会随后很快跟进。
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