IBM研究院的科学家实现了内存技术的突破，开发出多位相变存储器（PCM）。这种技术可在单个存储单元中长期稳定存储多数据位，速度比当前普遍使用的闪存快100倍，为开发低成本、速度更快、更耐用的内存铺平了道路。
IBM研究院的科学家实现了内存技术的突破，开发出多位相变存储器（PCM）。这种技术可在单个存储单元中长期稳定存储多数据位，速度比当前普遍使用的闪存快100倍，为开发低成本、速度更快、更耐用的内存铺平了道路。
PCM结合了快速、耐用、非易失性和高密度等特点，可在未来五年里为企业IT和存储系统带来范式转移。长期以来，科学家们一直在开发通用的、非易失性、性能远优于闪存的技术。这种技术的好处是允许电脑和服务器在瞬间启动，并显著提升IT系统的整体性能。不过这种技术的商业应用还很遥远。
PCM的突出优势在于，可以比闪存快100倍的速度读写数据，不但可提高存储容量，而且在电源关闭时也不会丢失数据。与闪存不同的是，PCM还很耐用，可承受至少1000万次写周期，而目前的企业级闪存只能达到3万次写周期，消费类闪存更是只有3000次。
IBM研究院苏黎世研究中心的内存和探头技术主管哈里斯·波齐迪斯（Haris Pozidis）表示：“随着组织和消费者日益接受云计算模式和服务，因此大多数的数据存储和处理都在云中进行，需要更强大和更高效，但价格合理的存储技术”。
虽然IBM在内存技术上取得突破，但该公司不会很快改变这个世界。一方面IBM还未计划自己开发任何相关产品，另一方面也未准备向第三方提供专利授权。预计在2016年前都不会出现PCM产品，届时闪存技术的发展可能将PCM的优势消弭于无形。
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