晶芯科技股份有限公司最近推出了两个系列全新架构的FB-DIMM(Fully Buffered-DIMM,全缓冲内存模组),其中一个系列是基于INTEL 架构的晶芯通用服务器内存,另一个系列是专门用于Apple Mac Pro的苹果机专用内存。
晶芯科技股份有限公司最近推出了两个系列全新架构的FB-DIMM(Fully Buffered-DIMM,全缓冲内存模组),其中一个系列是基于INTEL 架构的晶芯通用服务器内存,另一个系列是专门用于Apple Mac Pro的苹果机专用内存。
晶芯的FB-DIMM是在DDR2、DDR3的基础上发展出来的一种新型内存模组与互联架构,既可以搭配现在的DDR2内存芯片,也可以搭配未来的DDR3内存芯片。FB-DIMM可以极大地提升系统内存带宽,晶芯FB-DIMM采用新架构的6通道结构最多可容纳48条模组, 每条FB-DIMM模组的最高容量可达到4GB,因此整套系统可扩充到192GB。另外,采用的CRC(CyclicRedundancyCheck)循环冗余校验技术实时保护数据和命令加密,大幅度提高系统的可维护性。
与现有的普通DDR2内存相比,晶芯的FB-DIMM在技术具有极大的优势:在内存频率相同的情况下目前能提供四倍于普通内存的带宽,并且能支持的最大内存容量也达到了普通内存的24倍,系统最大能支持192GB内存。晶芯FB-DIMM最大的特点就是采用已有的DDR2内存芯片(以后还将采用DDR3内存芯片),但它借助内存PCB上的一个缓冲芯片AMB(Advanced Memory Buffer,高级内存缓冲)将并行数据转换为串行数据流,并经由类似PCI Express的点对点高速串行总线将数据传输给处理器。
与普通的DIMM模块技术相比,晶芯的FB-DIMM与内存控制器之间的数据与命令传输不再是传统设计的并行线路,而采用了类似于PCI-Express的串行接口多路并联的设计,以串行的方式进行数据传输。在这种新型架构中,每个DIMM上的缓冲区是互相串联的,之间是点对点的连接方式,数据会在经过第一个缓冲区后传向下一个缓冲区,这样,第一个缓冲区和内存控制器之间的连接阻抗就能始终保持稳定,从而有助于容量与频率的提升。
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