浦科特M3固态硬盘全新登场
浦科特在固态硬盘市场中虽然名气还不算响亮,但凭借对Marvell系列主控芯片的三代深挖,在核心玩家群体中已树立起自己的名气。从早期的88SS8014到如今主流的88SS9174,浦科特也是经历了M1S、M2S以及M2P三代产品,其中去年第三季度推出的M2P更是通过对固件的深入优化以及使用了东芝32纳米Toggle DDR Mode MLC NAND闪存,在综合效能方面超过了美光Crucial M4。
事实上在第三季度的新品上还在使用32纳米闪存显得有点不合时节,只能说当时东芝的24纳米制程还没有能充分满足我们的需求,这可以理解为先将与M3固件算法相似的M2P做铺垫和过渡使用,当然你也可以理解为M3才是真正的新一代产品。
一直以来固态硬盘的发展都是围绕着速度的不断攀升,其实对大部分普通家庭用户来说超高的性能并非唯一诉求,稳定可靠才是真谛。浦科特固态硬盘背后有着自己强大的研发团队,其产品在稳定性方面见长。统计数字表示浦科特固态硬盘的平均故障率仅0.5%,与英特尔持同等水平。
可以说,相比美光Crucial M4,浦科特M3系列固态硬盘产品也是基于Marvell方案的另一大佳选,此次登场的产品涵盖64GB到512GB四种容量,其规格可以从表格中获悉,若从综合效能来看,256GB性能是最出色的,而笔者本次评测的512GB型号,可谓是在一定性能保证的前提下,给予用户一个超大容量之选。毕竟相较256GB而言,面对512GB的容量主控需要在每个通道管理更多的Die。
TrueSpeed实境效能+5年质保
浦科特M3作为M2P的接班人,自然沿袭了后者所有特性。
●TrueSpeed实境效能
我们应该清楚的一点是,固态硬盘在使用一段时间后会充斥着很多碎片,此时SSD的磨损平衡、垃圾回收等机制都开始工作,当每一个Block均被使用过之后,就进入了稳定态(Dirty State)。因此良好的算法有助于保持SSD性能不会衰减。
浦科特实时还原技术(Instant Restore),让SSD即使是在Dirty State也仍可维持与Clean State(全新硬盘)相同的读写效能,能有效解决SSD用户最为关心的Dirty State读写效率问题。
此外,浦科特M3所采用的Marvell主控芯片支持Uncompressed bitmap formats(资料不压缩格式),因此在CrystalDiskMark测试中,无论使用随机数据模型还是全0或者全1的数据模型下,都可以获得同样的性能表现。当然这点与SandForce引以为傲的DuraWrite机制各有好处,不代表哪一机制更佳。
具体来说,该技术通过特有算法,将资料区块记录方式最佳化,不会随着大量资料存取降低读写速度,在长期持续使用状况下不降速。同时没有采用即时压缩的机制使浦科特M3在面对不同数据模型下都有相同的表现,这些特征也被综合命名为“TrueSpeed实境效能”。
●3+2年长期保固
目前90%以上的固态硬盘厂商都只对自己的消费级产品提供3年质保服务,英特尔为320提供的5年质保服务可谓是对自己产品信心十足的佐证。当然在整个硬盘市场当中,普通的机械硬盘也不过提供两年到三年的质保服务,五年质保只限于诸如希捷Barracuda XT、西部数据Caviar Black这样的高阶产品。产量越高的产品,出现故障率的可能性也会增加,但即便是企业级硬盘也存在突然挂掉的可能性。笔者认为,与其购买高价的高端硬盘产品不如养成良好的备份习惯来得实在。
厂商的服务承诺源自于他们对自己的信心,虽然你的固态硬盘可能都用不到3年就更新换代了,但这绝不仅仅只是一个数字的关系。更长的质保时间在一定程度上可以意味着更低的年返修率(AFR),但消费者在使用一款产品的几年里如果遇到一次故障而返修,就会让他对这个品牌的印象产生严重的负面影响。所以笔者认为5年质保绝不是噱头,是产品高可靠性的象征,但也不能够排除Bug的存在。
东芝24纳米Toggle DDR 2.0闪存
●东芝Toggle DDR Mode 2.0闪存
自浦科特的M2S开始就一直采用东芝的Toggle DDR Mode标准的MLC NAND闪存芯片。Toggle DDR Mode是三星和东芝两家全球NAND市场的头号领军厂商于2010年6月联合制定的全新NAND闪存接口标准。用来与英特尔、美光、海力士为首的NAND厂商所主打制定的闪存接口标准“ONFI”分庭抗礼。
目前基于SandForce SF-2281主控的固态硬盘如果是采用英特尔或者美光的颗粒,都基于ONFI 2.2标准,该标准支持NAND闪存每条通道的传输带宽提升至166MT/s~200MT/s,而2011年最新出台的ONFI 3.0规范更是可以让闪存的接口带宽达到400MT/s。
对于Toggle DDR Mode来说,所谓的“DDR”其实和DDR内存的道理是一样的,利用DQS信号的上升沿和下降沿都进行一次数据的传输,速度自然翻倍。
浦科特M2S和M2P都采用的是Toggle DDR Mode 1.0的标准,其接口带宽可以达到133MT/s,而最新的2.0标准和ONFI 3.0一样可以达到400MT/s的接口带宽。而这一全新标准的闪存,也由浦科特M3率先采用。
从图中我们可以看到全新的Toggle DDR Mode 2.0可是实现随机读取性能30%的增幅,随机写入性能120%的增幅。而按照如果相应闪存以8bit的位宽来计算,可以实现400MB/s的传输带宽。但综合来讲,全新标准的闪存应该和全新一代的主控芯片配合才能发挥出全部效能。据悉Marvell下一代SATA主控芯片要到今年下半年才会崭露头角。
●节能先锋
此前的浦科特M2P虽然性能高强但是功耗和发热量也随之上升。这次M3系列待机电压最高不超过0.0247瓦,即使工作电压也不超过0.025瓦,低电源功耗可省约25%电力。事实上大部分固态硬盘空闲状态下的功耗差别几乎都在1W以下,而进行连续读写/随机读写时的功耗基本上也不超过3W,当然更大的容量功耗也越高。而这些都远比机械硬盘来的实在。
在未来主打超轻薄笔记本Ultrabook或者其他移动手持设备中如平板电脑、智能手机中,功耗更低、体积更小的闪存的应用将会越来越广泛。很多人都会认为自己的PC在内存足够的前提下,使用固态硬盘带来的效能提升被媒体过于夸大了。笔者的观点是,如果你的预算有限确实没有必要在固态硬盘上投资,这种高IOPS效能对企业级应用更加重要。但我们无法否则基于闪存在各类设备中广泛的应用,固态硬盘的优势并不只有速度而已。
浦科特M3固态硬盘产品图赏
浦科特M3依然延续着一贯的蓝黑色包装风格,而这次更加凸显大厂风范。
包装上清晰地印刷了TrueSpeed的Logo以及5年质保的标识
产品做工和用料与M2P没有区别,依然保持铝制外壳和圆角边,只将Plextor的Logo变为白色
背部依然印刷了各种信息,目前M3的固件版本为1.00,生产日期为2011年11月
附件方面包含3.5英寸支架,以及Acronis True Image OEM软件光盘
和M2P一样M3在内部都配有大量的固体硅胶导热垫增强散热性能
浦科特M3固态硬盘产品拆解
浦科特的M3其PCB正面仅一颗Marvell主控芯片,和M2P的布局完全一致。
PCB正面
PCB背面共8颗闪存芯片组成512GB的容量,同时还配置了两颗缓存芯片组成512MB容量,注意到PCB右侧印刷有M3S的字样,也许M3在开发初期即是叫做M3S。
Marvell 88SS9174 - BKK2主控芯片
东芝24纳米Toggle DDR Mode 2.0 MLC NAND闪存芯片,编号为TH58TEG9D2HBA89,单颗容量为64GB。
两颗南亚缓存组成512MB的超大容量,带来更加出色的性能但掉电丢数据的风险较高
测试方案和测试平台介绍
●连续读写性能测试
连续读写能力是衡量硬盘在进行较长文件长度(一般不少于128KB)顺序读写操作时所体现的性能,对于固态硬盘来说,更高的NAND接口带宽、更强的主控以及更多的通道都有助于提升连续读写性能。对于MLC闪存来说,其寿命和写入速度都落后于SLC闪存,因此更大的容量对提升写入速度有明显帮助。
测试项目:连续读写测试渗透在各个软件测试中,我们可以关注如下数据:CrystalDiskMark软件下的1MB连续读写测试、AS SSD Benchmark难压缩数据读写测试、基于IOMeter软件的128KB连续读写性能测试。其中,128KB文件长度是最具参考性的,它更贴近于我们的真实使用环境。当然我们也会使用ATTO Disk Benchmark软件测试面对不同长度文件下的连续读写性能表现。
●随机读写性能测试
随机读写性能是衡量固态硬盘表现最重要的指标,在官方宣传时一般以IOPS的数值来体现,即每秒进行的IO操作次数,可认为是吞吐量指标。
对于队列深度(QD)来说,它反映固态硬盘在多线程并发环境下的性能表现,在开启AHCI模式下启动NCQ功能,就可以获得高队列深度下的性能提升了,目前主流的固态硬盘都能够很好地提供对AHCI的支持,但是不要过度迷信高QD下的性能,日常我们系统应用几乎也就用到QD3的水平。
测试项目:该测试同样渗透在各个软件中,而CrystalDiskMark、AS SSD Benchmark以及IOMeter都能够比较准确地测试出来,而大家更多只关注单线程模式(QD1)下的性能表现即可。
●系统基准性能模拟测试
PCMark是Futuremark最新推出的一款整机性能测试软件,它采用脚本测试的方式模拟实际使用情况,在PCMark 7中的存储部分针对SSD的应用做了一些多任务测试。但是不会需要很高的队列深度,对固态硬盘不会造成太大的负载,主要基于随机读写操作,能够更加准确地表现我们系统实际应用时的效能。
测试项目:运行PCMark Vantage和PCMark 7的硬盘测试项目,记录总分并进行对比。
●固态硬盘可用空间对性能的影响
很多固态硬盘在使用一段时间之后都会出现性能下降的问题,很多人认为这是固态硬盘的固有缺陷,实际上却是正常现象。就像机械硬盘在充斥着大量碎片后也会出现使用体验下降是一个道理。固态硬盘在使用一段时间之后垃圾回收等机制都开始运作。
测试项目:使用Iometer填充整盘分区,在使用空间至80%、90%、第一次99%、删除数据重新填充再次至99%以及快速格式化后分别使用CrystalDiskMark进行性能测试,在99%的环境下使用PCMark7进行测试,观察硬盘的性能变化情况。
●稳定态模拟与垃圾回收效率测试
在整个固态硬盘的使用周期内,99%的时间都在做垃圾回收操作。当固态硬盘的所有颗粒都被编程过一次之后,整个SSD可能充满零碎数据,TRIM和垃圾回收机制开始运作,既是进入了GC态阶段。
进入GC态之后,将可能会影响读写性能,其性能变化主要依赖于Trim的执行频率和垃圾回收算法所影响。而对于SandForce主控来说,进入GC态后固态硬盘的写入性能将会被限制,对于Marvell主控来说,性能下降不会很明显,但依然依赖于固件算法的优化。
测试项目:笔者使用Iometer软件在没有分区的固态硬盘上进行9次每次10分钟的QD32下的4KB随机写入测试,共90分钟让固态硬盘进入GC态。然后使用HDTune软件检测写入性能的变化,测试垃圾回收的执行效果。最后进行全盘格式化即执行TRIM指令,测试TRIM的执行效果。
●测试平台
本次笔者的测试平台基于英特尔Sandy Bridge平台,配备2 x 4GB DDR3 1600MHz CL9内存,测试软件环境基于Windows 7 x64系统,并使用最新版本的测试软件。测试过程关闭一切降频节能选项,同时开启AHCI模式。
CrystalDiskMark与AS SSD软件测试
●CrystalDiskMark软件测试
CrystalDiskMark是一款来自日本开发者开发的硬盘测试工具,简单易用,可以测试1MB和512KB文件大小的连续读写速度、4KB随机读写速度和32位队列深度下的4KB随机读写速度。
CrystalDiskMark软件测试涉及LBA寻址空间不超过4GB,默认为1GB文件测试五次取最佳值。这里同时设置“随机”和“全0”两种数据模型分别进行对比,来看看浦科特TrueSpeed实境效能的体现。
基于CrystalDiskMark软件的测试结果,读取速度突破了500MB/s,写入速度也接近435MB/s,而4KB随机读写分别为29MB/s和86MB/s,虽然QD32下的4KB随机读写略低,来自于Multi LUN(Logical Unit Number)Bug,但也达到了官方标称数值。
●AS SSD Benchmark软件测试
AS SSD Benchmark是一款来自德国的SSD专用测试软件,可以测试连续读写、4KB随机读写和响应时间的表现,并给出一个综合评分。同时该软件还自带一个Compression Benchmark项目,它可以给出一个曲线,描述随着数据模型中可压缩数据占有率(压缩比)的增高,性能的变换情况。
AS SSD Benchmark的测试结果比CrystalDiskMark略低,但也达到了657分,属于中上乘。
来自Compression-Benchmark的测试项目,可以看到随着压缩率的变换,浦科特M3在读写性能方面并无变化。
IOmeter连续和随机读写测试
IOMeter是一个单机或者集群的I/O子系统的测量和描述工具,最初由英特尔公司在1998年2月17日的英特尔开发者论坛(IDF)上宣布。由于IOMeter的自定义项目非常丰富,可以调节测试范围、数据块大小、处理模式等等,因此很多评测并不将它作为测试项目,因为各家的测试环境设置不尽相同,你很难在不同的设置环境下获得相同的数据。
这里笔者在8GB分区下进行测试,对于IOMeter的设置环境如下,其他项目保持默认状态:
Write IO Data Pattern(测试生成的数据模型):Pseudo Random
Transfer Request Size(测试请求的文件大小):4KB/128KB
Percent Read/Write Distribution(测试请求的读/写比例):100%读/100%写
Percent Random/Sequential Distribution(测试请求的随机/连续比例):100%随机/100%连续
Align I/O on(对齐I/O到指定大小):设置为4KB对齐
Ramp up Time(自举时间):设置为30秒钟
Run Time(测试时间):设置为2分钟
●基于IOMeter软件的128KB连续读写测试
128KB连续读取性能——462.19MB/s
128KB连续写入性能——382.10MB/s
●基于IOMeter软件的4KB(QD=1)随机读写测试
QD1下4KB随机读取性能——28.9MB/s(7056 IOPS)
QD1下4KB随机写入性能——87.49MB/s(21359 IOPS)
●基于IOMeter软件的4KB(QD=32)随机读写测试
QD32下4KB随机读取性能——221.29MB/s(54026 IOPS)
QD32下4KB随机写入性能——121.55MB/s(29676 IOPS)
基于128KB文件长度的测试,读取速度达到462MB/s,已经是目前的较高水准,可以归咎于Toggle DDR 2.0带来的提升。但是依然没有突破500MB/s,事实上目前也只有三星830可以在128KB下达到500MB/s的成绩。
128KB文件长度用于测试固态硬盘的连续读取性能时最为标准的,因为它最贴近于实际。配合新的闪存,笔者认为在这方面浦科特仍有进步的余地。
队列深度VS随机读写性能
对于队列深度(QD)来说,它反映固态硬盘在多线程并发环境下的性能表现,在开启AHCI模式下启动NCQ功能,就可以获得高队列深度下的性能提升了,目前主流的固态硬盘都能够很好地提供对AHCI的支持,但是不要过度迷信高QD下的性能,日常我们系统应用几乎也就用到QD3的水平。
本测试笔者使用IOMeter软件,在8GB分区和使用Pseudo Radom数据模型下进行从QD1到QD32不同队列深度的IOPS性能测试,并记录数据汇集成折线图。
# of Outstanding I/O(同时发送的IO请求即队列深度):1/2/4/8/16/32
和CrystalDiskMark的测试结果比较类似,随机读取性能方面的走势比较完美,QD32下真正达到了接近标称56K的IOPS效能,而在QD1下也有接近30MB/s的表现。目前只有基于Marvell主控的固态硬盘可以达到这个数字。
而在随机写入方面就有些不尽人意了,在QD2到QD32都没有明显变化,保持在121MB/s,即是接近30K IOPS。比256GB版本65K的效能低了不少。好在这不会太多影响实际应用的感受,因为90%的时间我们只会用到QD1。
文件长度VS连续读写性能
ATTO Disk Benchmark是一款简单易用的速率检测软件,可以用来检测硬盘,U盘,存储卡及其它可移动磁盘的读取及写入速率,该软件使用了不同大小的数据测试包,数据包按0.5K,1.0K,2.0K直到到8192.0KB进行分别读写测试,测试完成后数据用柱状图的形式表达出来,可以很好地说明文件大小长度不同对速度的影响。
全0数据
随机数据
由于这款软件默认使用256MB的文件长度进行测试,而浦科特M3配备512MB缓存,因此在全0数据模型的测试中,缓存命中率很高,明显性能要高于命中率低的随机数据模型。综合两项测试成绩来看,读取速度最高达到了513MB/s,写入速度达到了435MB/s。
4KB随机读写响应时间测试
以往我们只考虑固态硬盘在不同文件长度下所表现出来的传输性能,但是对响应时间这个问题我们关注得明显不够。对于数据存储而言,响应时间是至关重要的。通常我们使用HDTune来测试机械硬盘的响应时间,对于固态硬盘而言IOMeter、AS SSD Benchmark软件更为合适,这里笔者选用AS SSD Benchmark的测试成绩。
大家应该可以想到响应时间所代表的含义,它的意思就是延迟,代表从接到传输命令到数据开始传输这段时间,就像你打开电脑进行工作一样,工作的速度或许可以代表吞吐量,而打开电脑所需要的时间则是延迟。显然,延迟反映在我们生活当中的任何地方。
对于机械硬盘来说,延迟时间基本上等于寻道时间和平均等待时间之和,主流桌面级7200RPM硬盘的延迟时间大概在13ms左右,15000RPM企业级硬盘大概在5~6ms之间,而固态硬盘通常不会高于1ms。所以,文件长度越小的操作(如4KB),就越能凸显响应时间带来的影响。
因此,即便某些拥有超过持续100MB/s写入速度的机械硬盘,如果是进行对小文件的操作,那么其性能依然不及写入可能只有持续60MB/s的小容量固态硬盘。在这种情况下,我们经常会感觉到机械硬盘在加载文件时出现的卡顿现象,而这是非常常见的事情。
本次测试基于IOMeter下QD1队列深度4KB随机读写性能的测试成绩,结合与其他产品的对比,让我们来更好地了解浦科特M3的策略。而这个对比测试的结果和最终固态硬盘的效能表现没有直接联系,只是单方面底层的测试项目。
在读取方面,基于Marvell 88SS9174-BKK2主控的美光Crucial M4和浦科特M3都有着极其出色的表现,后者在最大延迟方面要优于美光M4,都领先于三星830和SandForce系列固态硬盘。
而在写入方面,Crucial M4和浦科特M3同样出色,这是因为SandForce主控更多采用实时的垃圾回收机制,能够保证每时每刻全盘都可以保证同样的性能;而Marvell主控更多采用闲置垃圾回收策略,性能可以在大部分时间保持较高的性能,但会增加额外的写入放大。两种方案各有优点。
系统基准PCMark软件测试
PCMark是Futuremark最新推出的一款整机性能测试软件,它采用脚本测试的方式模拟实际使用情况,在PCMark 7中的存储部分针对SSD的应用做了一些多任务测试。但是不会需要很高的队列深度,对固态硬盘不会造成太大的负载,主要基于随机读写操作,能够更加准确地表现我们系统实际应用时的效能。
PCMark存储项目测试的整个过程将花费大约20分钟的时间,一般包括Windows Defender、游戏、Windows图片加载、Windows启动、MovieMaker视频编辑、Windows媒体中心,WMP音乐加载等项目。
PCMark Vantage更加适合用来测试机械硬盘,目前我们认为PCMark 7的测试结果更加值得参考。不过85319的得分也绝对可以在当前主流产品中傲视群雄。
PCMark7的得分达到5498分,也是目前笔者见到过的单块2.5寸固态硬盘阵营中分数最高的一款。显然,尽管浦科特M3 512GB在高QD下的4KB随机读写性能方面没有出色表现,但可喜的是在实际系统应用中我们几乎用不到这么高的队列深度,所以综合M3超高的连续读写速度方面来看,这个得分还是能够很好地反映我们真实的系统应用体验的。
100%满盘填充性能测试
基于Marvell 88SS9174主控的浦科特M3主打TrueSpeed实境效能,和M2P一样,旨在固态硬盘处于Dirty State状态下依然能够保证和空盘状态下一样的性能。我们知道若固态硬盘空间不足,每进行一次写入操作就可能需要进行一次被动的垃圾回收,或者主控芯片考虑到寿命问题对速度进行严重的限制,比如SandForce。那么浦科特M3的表现如何呢?
再次填充到99%时竟然来了一次大爆发,写入速度没有明显变化,但读取速度大增,其中1MB连续读取速度达到526.9MB/s,而512K随机读也大幅度增加了90MB/s
此时用运行PCMark7测试,成绩为5489,仅比空盘下降了0.16%,甚至可以认为是误差导致
可以看到浦科特M3的表现十分良好,即便在99%的环境下,高队列深度下的4KB随机写入性能也没有受到影响。这样的性能对实际使用来说至关重要,大大改善了我们的系统应用体验。
在GC态测试垃圾回收和TRIM性能
关于GC态测试的目的和方法前面已经说明,我们现在空盘状态下运行一次HDTune软件,观察此时的写入情况。
空盘状态下写入速度为345.2MB/s
笔者在没有分区的浦科特M3硬盘上开始运行Iometer软件,使用Pseudo Random数据模型,QD32队列深度跑4KB随机写入测试,9段测试共90分钟。
运行开始,写入速度在122.04MB/s左右,IOPS也接近30K
90分钟运行完成之后性能只剩46.8MB/s,IOPS也仅为11.4K,延迟也大大增加
在90分钟的随机写测试完成后立即运行HDTune软件成绩为123.3MB/s(35.7%)
闲置5分钟后进行测试恢复到333.6MB/s(96.6%)
再闲置15分钟后恢复到339.9MB/s(98.5%)
格式化之后达到342.8MB/s(99.3%)
可以发现512GB版本的浦科特M3的垃圾回收速度非常快,也许是90分钟的4KB随机写入测试的测试强度对它来说还是有点低了。虽然更快的垃圾回收会增加写入放大,但是若固态硬盘的容量足够大,用于磨损平衡机制的发挥余地也就更大,在一定程度上可以消除垃圾回收造成的额外的写入放大。
我们注意到全盘测试完成之后写入性能大跌,随后慢慢地从初始地址逐渐恢复,显然是采用了闲置垃圾回收策略。因此在诸如桌面级应用环境中,使用强度通吃不会很大,又会有较多的空闲时间,因此性能可以长时间维持在一个较高的水准。
总结:稳定高效的绝佳选择
浦科特M3让我们看到了固态硬盘不断演进的一个美好的情景,尤其是闪存制造工艺和标准的进化更是可以让用户获得极佳的使用体验,当然着更多在于内在因素。超过500MB/s的连续读取速度,最高达70K/65K的IOPS效能,这些都是当前中高端固态硬盘的标准数字。但浦科特针对M3实行5年质保,超过绝大部分品牌提供的3年质保,追平英特尔为320承诺的质保时间,也可以看出浦科特对自己的新品是信心满满。
限于笔者评测的512GB容量型号,虽然在高队列深度下表现并没有达到70K/65K超高的IOPS效能,但这种损失对实际的桌面级系统应用来说可以忽略不计,PCMark的测试分数即可很好地说明问题。况且M3获得了在128KB连续读取方面性能的提升,进一步增加了我们的使用体验。
由于与M2P的固件算法类似,因此借助TrueSpeed特性,即便是在99%满盘填充环境下依然能够保持90%以上的原有性能,而且通过格式化操作即可完全恢复到出厂状态。同时得益于512GB的超大容量,闲置垃圾回收的效率也相当之快,几乎接近100%的性能恢复。
应该说浦科特过渡到20纳米级制程的闪存的时间是相当晚的了,当然这也受限于来自东芝在切换到全新制程的步骤。相比今年下半年将会有部分厂商过渡到10纳米级制程,而相应的新一代主控方案最早也要到今年下半年。可以预见的是,今年年底到明年上半年我们会迎来真正的更替换代。因此就目前来看,一款速度不错,可靠性高的产品,仍然是我们的最佳选择。
目前浦科特M3系列固态硬盘刚刚上市,而基于M3的其他品牌的“贴牌”产品也刚刚上市。相较于美光M4代表的ONIF 2.2阵营,以浦科特M3所所代表的Toggle DDR 2.0阵营将会给Marvell主控市场带来另一番活力。笔者认为这款产品在今年年内将受到热捧,待产量的上市,价格的下降将会是所有消费者所期待的。

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