东芝24纳米Toggle DDR 2.0闪存
●东芝Toggle DDR Mode 2.0闪存
自浦科特的M2S开始就一直采用东芝的Toggle DDR Mode标准的MLC NAND闪存芯片。Toggle DDR Mode是三星和东芝两家全球NAND市场的头号领军厂商于2010年6月联合制定的全新NAND闪存接口标准。用来与英特尔、美光、海力士为首的NAND厂商所主打制定的闪存接口标准“ONFI”分庭抗礼。
目前基于SandForce SF-2281主控的固态硬盘如果是采用英特尔或者美光的颗粒，都基于ONFI 2.2标准，该标准支持NAND闪存每条通道的传输带宽提升至166MT/s～200MT/s，而2011年最新出台的ONFI 3.0规范更是可以让闪存的接口带宽达到400MT/s。
对于Toggle DDR Mode来说，所谓的“DDR”其实和DDR内存的道理是一样的，利用DQS信号的上升沿和下降沿都进行一次数据的传输，速度自然翻倍。
浦科特M2S和M2P都采用的是Toggle DDR Mode 1.0的标准，其接口带宽可以达到133MT/s，而最新的2.0标准和ONFI 3.0一样可以达到400MT/s的接口带宽。而这一全新标准的闪存，也由浦科特M3率先采用。
从图中我们可以看到全新的Toggle DDR Mode 2.0可是实现随机读取性能30%的增幅，随机写入性能120%的增幅。而按照如果相应闪存以8bit的位宽来计算，可以实现400MB/s的传输带宽。但综合来讲，全新标准的闪存应该和全新一代的主控芯片配合才能发挥出全部效能。据悉Marvell下一代SATA主控芯片要到今年下半年才会崭露头角。
●节能先锋
此前的浦科特M2P虽然性能高强但是功耗和发热量也随之上升。这次M3系列待机电压最高不超过0.0247瓦，即使工作电压也不超过0.025瓦，低电源功耗可省约25%电力。事实上大部分固态硬盘空闲状态下的功耗差别几乎都在1W以下，而进行连续读写/随机读写时的功耗基本上也不超过3W，当然更大的容量功耗也越高。而这些都远比机械硬盘来的实在。
在未来主打超轻薄笔记本Ultrabook或者其他移动手持设备中如平板电脑、智能手机中，功耗更低、体积更小的闪存的应用将会越来越广泛。很多人都会认为自己的PC在内存足够的前提下，使用固态硬盘带来的效能提升被媒体过于夸大了。笔者的观点是，如果你的预算有限确实没有必要在固态硬盘上投资，这种高IOPS效能对企业级应用更加重要。但我们无法否则基于闪存在各类设备中广泛的应用，固态硬盘的优势并不只有速度而已。
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