外观设计、核心结构和PCB解析
外观上，三星840 EVO延续了840的风格，但是从炭黑色色调变为纯灰色，工艺也从之前的磨砂改为烤漆工艺，旨在从这种外观上的改变体现出新产品的科技感。标志性的小方块设计已经成为三星SSD的Design Identity。
三星840 EVO的设计
高度抛光效果的倒角
当然，840最引以为傲的一点则是“倒角设计”，该倒角从一定角度上看就可以有几近镜面的抛光效果，与SSD的正面和侧面形成鲜明的对比，非常迷人。
PCB正面
PCB背面4个NAND
硬件方面的升级，840 EVO本次采用了新一代MEX主控，相比840和840 PRO的MDX主控，频率从300MHz提高到了400MHz。外置缓存从此前的最大512MB提升至1GB，因为840 EVO拥有了更大的容量，这也就需要编写更大规模的映射表，否则1TB的版本很难做到和500GB的性能相同。
三星MEX主控和1GB缓存芯片
闪存制程则从从2xnm进化到1xnm，依然是Toggle 2.0标准，并且实现了128Gb die。由于制程变得更加先进，读取过程中的出错率比20nm级时代进一步增加，这就需要在ECC纠错算法之外再针对读取电压进行额外的修正，才可以降低出错率。为此840 EVO的另一项升级在于最新一代的“先进信号处理算法”。
1xnm 3bir-MLC闪存，编号K90KGY8S7M-CCK0，单颗容量128GB
上次我们测试的250GB的840 EVO其超小尺寸的PCB给我们留下了深刻的印象，而1TB的版本也不过8颗NAND闪存，加上主控和缓存芯片，同样占不了多大的空间。
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