两大主控特性介绍
我们简单回顾一下三款产品所采用的两大主控的特性：
●LSI SandForce SF-2281主控方案
LSI SandForce SF-2281主控是目前大家最熟悉的主控了，最大特点就是其DuraClass技术，可以将写入放大降低至0.5，可以大大延长闪存的寿命。总体来说LSI SandForce SF-2281主控包含如下特点：
SandForce SF-2281主控
DuraWrite将写入放大最低至0.5倍：该技术通过独特的实时压缩/解压缩技术，减少实际写入闪存的数据量，从而减少写入放大。LSI SandForce宣称其主控写入放大为0.5倍。显然写入了比本来要写的更少的数据量也就显得传输速度变快了，同样更少的写入量对闪存的寿命也有好处。
RAISE：类似于RAID5的功效，是一个独立的冗余数组结构，可以修复整个Block，因此需要划分一部分预留空间。不过不是所有LSI SandForce SF-2281主控固态硬盘都支持RAISE。
DuraClass技术特性
强劲的ECC校验功能：SF-2281支持更强劲的ECC校验功能，从以前的每512字节数据添加24bit校验，升级到每512字节数据55bit校验。强大的ECC校验能力是闪存工艺步步提升一级日后采用TLC闪存的保证。
Recycler垃圾回收：SandForce主控支持静磨损平衡，支持实时垃圾回收操作。
总体来看，SandForce SF-2281主控采用即时压缩机制，提高速度的同时兼顾耐久性，理论最高可以跑到读550MB/s写500MB/s，但是对于不可压缩的数据则慢很多，并且受闪存类型会影响很大，综合来讲其性能居于目前中高端行列。SandForce是真正为了寿命牺牲速度的方案，在接近满盘或者使用一段时间后会限制写入速度，这是正常表现不是掉速。SandForce采用实时垃圾回收尽可能低降低写入放大保证耐久，但随机操作延迟较大所以部分测试数据不太好看。
●三星MEX主控方案
三星840 EVO固态硬盘采用了全新的MEX主控，架构上依然是三核心ARM Cortex-R4主控，但是频率比上一代MDX主控的300MHz提升到400MHz，使得QD1下4KB随机读取性能的进一步提升。
MEX主控、缓存颗粒和闪存颗粒
MEX主控支持的DRAM缓存的容量进一步增大至1GB，750GB和1TB版本均采用了1GB LPDDR2-1066缓存，而上一代840最大为512MB。
MEX采用了最新一代的“先进信号处理算法（Advanced Signal Processing Alogrithm）”。因为随着闪存制程提升至10nm级水平，读取过程中的出错率比20nm级时代进一步增加，这就需要在ECC纠错算法之外，再针对读取电压进行额外的修正，才可以降低出错率。
更小的制程工艺，需要更先进的信号处理算法提高耐久度
三星840 EVO还采用了TurboWrite技术，简单来讲它就是在SSD中划分一定的区域，让这个区域的3bit MLC以SLC的方式运作，提供一层高性能的缓冲区，这就是TurboWrite缓存空间，也就是所谓的SLC Buffer。所有的数据在写入时均先写入到该缓冲区中，并在SSD空闲时将缓冲区的数据顺序传输到非TurboWrite空间上。
我们本次测试所用的250GB的版本拥有3GB的缓冲区，因此当该3GB一次性用满之后SSD的写入速度将受到影响。而根据三星的测试日常应用环境中3GB的缓冲区完全够用。
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