如何保证16nm制程下的耐久性
●1ynm阶段，闪存耐久性是否还够用
文章开头提到的1ynm阶段，东芝推出的是第二代被命名为A19的闪存，它和第一代的区别在于闪存单元cell的尺寸，前一代产品的64Gb的cell尺寸是19nm x 26nm，也就是说此2D NAND单元一边是19nm而另一边不是。此次第二代产品为19nm x 19.5nm，是真正意义上的19nm闪存。
美光方面，其16nm MLC NAND闪存在去年就已经试产，今年上半年投入量产。美光表示采用16nm制程，每块晶圆可以产出近6TB闪存，在现存的MLC颗粒中拥有单位面积的最大容量和最低成本。
美光16nm闪存
理论上来说，大家最关心的就是制程提高后闪存的耐久度问题，美光方面没有透露具体的数字，也就是我们熟悉的“擦写次数”，而是仅仅给出了保证72TB的终身数据写入量，相当于5年内每天写入40GB，这个指标和M500以及M550是一样的。
●额外的数据冗余校验技术——RAIN
事实上，一个SSD的耐久性并不能简单地拿闪存的擦写次数来衡量。的确，随着工艺的提高，闪存单元的尺寸越来越小，区分各电压状态之间的差值也越来越小，很容易造成在读取时因为电压状态不对产生数据错误。
Marvell 88SS9189主控
但在SSD的内部，还有很多技术和算法支撑着避免或纠正这些错误，主流的手段就是ECC校验，Marvell 88SS9189可以支持修正128bit/1KB的随机错误，该主控还支持元数据独立ECC，元数据是关于数据的数据，也就是存储在缓存中的映射表，主控支持对其独立ECC则可保证映射表的数据可靠性。
当ECC不足以修正错误的时候，就需要更强力的数据保护措施，因此数据冗余校验机制也被越来越多地采用。和M500、M550一样，Crucial MX100中采用了RAIN（Redundant Array of Independent NAND）技术，原理类似于RAID 5的冗余保护机制。该技术早先就被应用在美光的企业级SSD中。
美光早在P32h企业级SSD中就应用了RAIN独立冗余磁盘阵列技术
为了实现这个功能，就需要SSD预留出一部分的空间来存放校验数据，M500时期的做法是预留了7%的空间，即用户可用空间和校验空间的比是120:8，因此产生了120GB、240GB、480GB这样的规格。
现在经过一年美光做了不少的优化，将这个比例缩小到127:1，但依然能够保证原有的安全等级。和M550一样，此次MX100的128GB其中只有1GB是用于冗余校验，而256GB则为2GB、512GB为4GB。
●耐久度，这本不是消费者该关心的事
一定会有耐久度越来越低的闪存，比如TLC只有1000次P/E的理论寿命，但SSD也有越来越强大的数据纠错和校验等保护机制，三星的SSD还支持更先进的号处理算法，通过微调读取电压提供第二层读取保护协助，以应对那些因为各种干扰导致的电压不正确的问题。
当然厂商用什么样的手段这不是消费者需要关心的事情，只要保证最终出货的产品有足够的耐用度就可以了。
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