近日，在美国举行的三星工艺论坛SFF 2018 USA之上，三星宣布将连续进军5nm、4nm、3nm工艺，三种工艺将会采用三星的全新晶体管架构，性能再获新的提升。
【PChome整机频道资讯报道】近日，在美国举行的三星工艺论坛SFF 2018 USA之上，三星宣布将连续进军5nm、4nm、3nm工艺，这在半导体领域属于极限范围了。那么，加上现在较为成熟的7nm工艺，三星将会在半导体方面为我们带来什么样的先进技术呢？
7LPP (7nm Low Power Plus)
首先，三星将在7LPP工艺上首次应用EUV极紫外光刻技术，预计今年下半年投产。关键IP正在研发中，明年上半年完成。
5LPE (5nm Low Power Early)
该工艺将在7LPP工艺的基础上继续创新改进，可进一步缩小芯片核心面积，带来超低功耗。
4LPE/LPP (4nm Low Power Early/Plus)
最后一次应用高度成熟和行业验证的FinFET立体晶体管技术，结合此前5LPE工艺的成熟技术，芯片面积更小，性能更高，可以快速达到高良率量产，也方便客户升级。
3GAAE/GAAP (3nm Gate-All-Around Early/Plus)
Gate-All-Around就是环绕栅极，相比于现在的FinFET Tri-Gate三栅极设计，将重新设计晶体管底层结构，克服当前技术的物理、性能极限，增强栅极控制，性能大大提升。
值得一提的是，三星的GAA技术叫做MBCFET(多桥通道场效应管)，正在使用纳米层设备开发之中。
虽然三星的工艺主要用来生产移动处理器等低功耗设备，但其实在高性能领域，三星也准备了杀手锏，大规模数据中心、AI人工智能、ML机器学习，7LPP和后续工艺都能提供服务，并有一整套平台解决方案。比如高速的100Gbps+ SerDes(串行转换解串器)，三星就设计了2.5D/3D异构封装技术。
针对5G、车联网领域的低功耗微控制器(MCU)、下代联网设备，三星也将提供全套完整的平台方案，从28/18nm eMRA/RF到10/8nm FinFET都有。
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