三星宣布5nm/4nm/3nm工艺 采用全新晶体管架构

互联网 | 编辑: 顾亦飞 2018-05-24 10:19:06编译

近日,在美国举行的三星工艺论坛SFF 2018 USA之上,三星宣布将连续进军5nm、4nm、3nm工艺,三种工艺将会采用三星的全新晶体管架构,性能再获新的提升。

【PChome整机频道资讯报道】近日,在美国举行的三星工艺论坛SFF 2018 USA之上,三星宣布将连续进军5nm、4nm、3nm工艺,这在半导体领域属于极限范围了。那么,加上现在较为成熟的7nm工艺,三星将会在半导体方面为我们带来什么样的先进技术呢?

7LPP (7nm Low Power Plus)

首先,三星将在7LPP工艺上首次应用EUV极紫外光刻技术,预计今年下半年投产。关键IP正在研发中,明年上半年完成。

5LPE (5nm Low Power Early)

该工艺将在7LPP工艺的基础上继续创新改进,可进一步缩小芯片核心面积,带来超低功耗。

4LPE/LPP (4nm Low Power Early/Plus)

最后一次应用高度成熟和行业验证的FinFET立体晶体管技术,结合此前5LPE工艺的成熟技术,芯片面积更小,性能更高,可以快速达到高良率量产,也方便客户升级。

3GAAE/GAAP (3nm Gate-All-Around Early/Plus)

Gate-All-Around就是环绕栅极,相比于现在的FinFET Tri-Gate三栅极设计,将重新设计晶体管底层结构,克服当前技术的物理、性能极限,增强栅极控制,性能大大提升。

值得一提的是,三星的GAA技术叫做MBCFET(多桥通道场效应管),正在使用纳米层设备开发之中。

虽然三星的工艺主要用来生产移动处理器等低功耗设备,但其实在高性能领域,三星也准备了杀手锏,大规模数据中心、AI人工智能、ML机器学习,7LPP和后续工艺都能提供服务,并有一整套平台解决方案。比如高速的100Gbps+ SerDes(串行转换解串器),三星就设计了2.5D/3D异构封装技术。

针对5G、车联网领域的低功耗微控制器(MCU)、下代联网设备,三星也将提供全套完整的平台方案,从28/18nm eMRA/RF到10/8nm FinFET都有。 

相关阅读

网友评论

每日精选

首页 手机 数码相机 笔记本 游戏 DIY硬件 硬件外设 办公中心 数字家电 平板电脑