SK海力士宣布研发完成1Ynm DDR4芯片

PChome | 编辑: 单亚凯 2018-11-13 05:00:00原创

SK海力士宣布研发完成基于1Ynm工艺的8Gb(1GB)容量DDR4 DRAM芯片。该芯片最高支持3200Mbps,即3200MHz频率,号称可以提供最佳的性能和容量密度。

【PChome存储频道资讯报道】11月12日消息,SK Hynix(SK海力士)宣布研发完成基于1Ynm工艺(存储芯片从20+nm进入10+nm工艺之后,厂商对工艺的描述已经不再使用具体的数字了,20nm之后是1x nm工艺,再往后则是1y nm工艺,以及1z nm工艺)的8Gb(1GB)容量DDR4 DRAM芯片。该芯片最高支持3200Mbps,即3200MHz频率,号称可以提供最佳的性能和容量密度。

技术指标方面,相较于1Xnm,1Ynm芯片的生产率提高了20%,功耗降低了15%。SK海力士还表示,新的1Ynm芯片还显著提高了传感器精准度、调整了晶体管结构,使得数据传输的出错率降低。官方称,1Ynm DDR4 DRAM芯片将于明年一季度出货,率先用于服务器和PC产品上,最后向手机等领域推广。

(文中图片来自网络)

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