SK海力士宣布研发完成基于1Ynm工艺的8Gb（1GB）容量DDR4 DRAM芯片。该芯片最高支持3200Mbps，即3200MHz频率，号称可以提供最佳的性能和容量密度。
【PChome存储频道资讯报道】11月12日消息，SK Hynix（SK海力士）宣布研发完成基于1Ynm工艺（存储芯片从20+nm进入10+nm工艺之后，厂商对工艺的描述已经不再使用具体的数字了，20nm之后是1x nm工艺，再往后则是1y nm工艺，以及1z nm工艺）的8Gb（1GB）容量DDR4 DRAM芯片。该芯片最高支持3200Mbps，即3200MHz频率，号称可以提供最佳的性能和容量密度。
技术指标方面，相较于1Xnm，1Ynm芯片的生产率提高了20%，功耗降低了15%。SK海力士还表示，新的1Ynm芯片还显著提高了传感器精准度、调整了晶体管结构，使得数据传输的出错率降低。官方称，1Ynm DDR4 DRAM芯片将于明年一季度出货，率先用于服务器和PC产品上，最后向手机等领域推广。
（文中图片来自网络）
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