SK海力士DDR5-6400内存 存储密度翻倍

PChome | 编辑: 单亚凯 2019-02-28 05:00:03原创

SK海力士的DDR5-6400内存采用第二代10nm级别工艺制造,频率高达6400MHz,工作电压仅为1.1V,芯片面积为76.22平方毫米,与上代DDR4内存相比存储密度翻了一倍。

【PChome存储频道资讯报道】近日,SK海力士(SK Hynix)公布了第一颗DDR5-6400内存芯片,频率高达6400MHz,是现在多数DDR4内存的两倍左右,单颗容量为16Gb(2GB)。SK海力士的DDR5-6400内存采用1y nm工艺制造,也就是第二代10nm级别工艺,芯片面积为76.22平方毫米。

SK海力士此前的第一代21nm工艺8Gb(1GB) DDR4内存芯片面积是76平方毫米,等于如今在同样的面积内实现了两倍的容量,存储密度翻了一番。不过,随着后续工艺的进步,芯片面积有望进一步缩小以降低成本,比如第二代21nm工艺的8Gb DDR4就缩小到了53.6平方毫米,比第一代减小了30%。

另外,新内存的工作电压仅为1.1V,相比于DDR4标准的1.2V又降低了大约8%,而很多高频DDR4内存都要加到1.35V甚至是很危险的1.5V。

为了达成6400MHz高频率、1.1V低电压,SK海力士在电路设计上加装了新的延迟锁定环DLL,使用了相位旋转器(phase rotator)、注频锁相振荡器(injection locked oscillator),以减少高频下的时钟抖动、时钟占空比失真。另外还有新的前向反馈均衡(FFE)电路,以及新的写入均衡训练算法。

目前,三星电子、SK海力士、美光等存储巨头已经在全力部署DDR5内存,但JEDEC(固态存储协会)一直未能公布行业标准(2月20日JEDEC发布了LPDDR5内存标准)。

(文中图片来自网络)

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