三星加快了第五代HBM3e“Shinebolt”显存的开发与销售进度，最大数据传输速度将比上一代有所提升，预计将达到1.228TB/s。
受到近年来人工智能（AI）需求激增，目前计算卡和加速卡市场需要性能更强大的解决方案，英伟达已经决定将下一代Blackwell架构GB100 GPU的发布时间从2024年第四季度提前到2024年第二季度末。同时英伟达已经与SK海力士达成协议，选择在新一代B100计算卡上采用后者面向人工智能的超高性能DRAM新产品HBM3E。但其他存储行业竞争对手也并没有停下脚步。
据BusinessKorea消息称，目前三星也加快了第五代HBM3e“Shinebolt”显存的开发与销售进度，预计将紧随SK海力士之后。经初步测试，“Shinebolt”的最大数据传输速度将比上一代有所提升，预计将达到1.228TB/s，比SK海力士的HBM3e（最大数据传输速度为1.15TB/s）更快，同时“Shinebolt”还采用了最新的12层垂直堆叠方案，能够在单个HBM3e封装上实现高达36GB的容量，而原型版本使用的8层堆叠方案仅实现了24GB的容量。不过三星电子的HBM开发和生产速度目前仍落后于SK海力士，同时美光也已经向客户提供了性能相当的HBM3 Gen2的测试样品，不过三星电子正在制定战略，以夺回先进存储芯片生产的领先地位。
HBM（High Bandwidth Memory）内存原理是垂直连接多个DRAM，与DRAM相比显著提升数据处理速度的高附加值、高性能产品。HBM DRAM产品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的顺序开发，其中 HBM3E是HBM3的扩展（Extended）版本。HBM被认为是人工智能时代的新一代DRAM产品。
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