从摄影元件领域来看，“ISSCC 2006”的看点当然是称雄全球CCD市场的索尼和韩国三星分别发表的CMOS传感器。三星的目标是2007年占据CMOS传感器全球市场第一。
从摄影元件领域来看，“ISSCC 2006”的看点当然是称雄全球CCD市场的索尼和韩国三星分别发表的CMOS传感器。三星的目标是2007年占据CMOS传感器全球市场第一。
索尼此次共有三件发表。从摄像元件领域来看，几年来一直是各公司每家一件发表，所以索尼在这方面的投入之大引人注目。可以说，充分体现了索尼称雄CMOS时代的强烈愿望。另一方面，三星则是自开展CMOS业务以来首次在ISSCC上发表CMOS传感器。用意是证明其已经具备生产尖端产品的能力。
索尼将要发表的第一件CMOS传感器可以拍摄超过HDTV的640万像素影像（演讲序号：27.1）。图像数据的输出速度高达60帧/秒。像素间隔为2.5μm，光学尺寸为1/1.8英寸，总像素数约为640万。输出接口为LVDS（低电压差分信号传输）。另一特点是：2×2像素的像素加算后输出模式（拍摄影像时可提高输出值）和原样输出模式均可在没有多余数据输出的情况下顺利切换。
输出方面，在规定条件下为1.2万电子/lx·秒，随机噪音为7万电子。通过将每个像素的晶体管数平均控制到1.75个等方法，将开口率（每个像素中光电转换部分的面积比率）提高到38%。采用的工艺规格为180nm。每列像素集成一个10位的A-D转换器。结构为1个多晶硅层、3个布线层。
索尼的另一件发表是为降低噪音而封装了数字二重采样电路的CMOS传感器（演讲序号：27.5）。光学尺寸为1/1.8英寸、总像素数约276万。按计算，像素间隔在3.7μm左右。随机噪音为5.2电子，固定图像噪音不足0.5电子。另外，在MEMS相关会议上，索尼还将有另一件发表。
三星将发表开口率57%的接近普通值2倍的CMOS传感器（演讲序号：27.2）。像素间隔为2.25μm，光学尺寸为1/2英寸，总像素数约720万。为提高开口率，采用了像素中晶体管每4个像素共用的结构，同时还采用了130nm工艺规格。
饱和输出为1.4万电子，规定条件下的输出为1.5万电子/lx·秒，随机噪音为8电子。另外，三星还计划在定于2005年12月5日～7日举行的“IEDM 2005”学会上发表像素间隔1.9μm、开口率52%的CMOS传感器。
出处： 日经BP网
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