英特尔预言10年后芯片时钟频率将达250Thz

互联网 | 编辑: 2006-03-13 15:29:00转载

CNET科技资讯网3月13日国际报道 镓、砷、铟、锑等金属材料可能会有助于英特尔将未来芯片的时钟频率提高至250Thz或更高的水平。

    上周四，英特尔负责技术战略的主管鲍罗在“英特尔开发商论坛”上公布了在未来十年后将芯片时钟频率提高至250THz的计划。鲍罗说，通过在硅基片上增添多种其它半导体材料，设计人员将能够控制材料的原子属性。

     他表示，在过去的三十年中，我们一直在减小硅晶体管的尺寸，我们目前已经得到了厚度为4 、5 个原子的晶片，但我们无法取得进一步的突破。为了提高性能，我们需要提高电子的移动能力，应力硅能够将电子的移动能力提高一倍，但我们在这一方面会得到极限。

     鲍罗表示，包括镓、砷、铟、锑在内的六、七种半导体材料的电子移动能力比硅高，但我们却不会完全转向这些材料。他说，我们无法利用它们制造晶圆片，但我们可以在硅晶圆片上“沉积”部分这些材料。我们可以制造出混合型的半导体材料，因为这些元素是可以混合的。

     鲍罗指出，这样的芯片的速度会更快，需要的电压更低。他说，我们认为硅晶体管的最高时钟频率只能达到25THz ，我们能够获得比这一速度高10-100倍的晶体管。

     鲍罗表示，这种新技术将使一些长期以来一直期望的变化“梦想成真”。他说，我们将能够更有效地集成光子学技术，最终使内核能够通过光子技术相互连接起来。

     鲍罗指出，尽管实验室研究的结果令人振奋，但要推出商业化产品至少还需要十年时间。他说，通常情况下，实验室成果和商品化之间会相隔10年时间。应力硅技术在1991年就被提出来了，但在2002年才成熟，2003年才被应用于产品中。

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