再议闪存封装的区别
金士顿SNV425-S2 128GB的闪存封装和SNV125-S2 30G的闪存颗粒封装形式并不一样，下图是SNV125-S2 30G的闪存。应为FBGA（Ball Grid Array，锡球数组封装或锡脚封装体）封装，主要应用于计算机的内存、主板芯片组等大规模集成电路领域，特点在于虽然导线数增多，但导线间距并不小，因而提升了组装良品率，能大幅改善电热性能，方便信号传输，并提升可靠性。
下图是金士顿SNV425-S2 128GB的闪存颗粒。从芯片周围的引脚可以判定是TSOP（Thin Smaller Outline Package)封装技术。这也是目前最广泛使用于NAND Flash的技术，先在芯片周围做出引脚，采用SMT（表面安装技术）直接附着在PCB板的表面。这样的封装成品率极高，成本也较为便宜。
虽然从理论上判断，SNV125-S2 30G的FBGA封装更有优势，但为何不在作为高端产品的SNV425-S2 128GB上使用FBGA封装？这是一个颇具争议的问题。大多数观点认为TSOP的良品率更高，这已经被确认。目前不能单纯依靠目测判断闪存颗粒的体质优劣，因此我们判断，在SNV425-S2 128GB上采用TSOP封装是为了提高MLC工艺下SSD的良品率。
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