四路交错定址
单面FB-DIMM四路交错定址
倘若我们在每个内存通道中使用4组512MB单内存列模组，也能建立起4个锁步的内存列对，成为四路交错定址模式。
每个内存通道改用2组512MB的双内存列模组，可构成4个内存列对，使用四路交错定址模式。
同样是8GB的内存系统，因为配置方式不同而有了相异的交错定址形态，那麽在效能上有什麽差别呢?根据Intel的测试，四路交错定址效能最好，比不使用交错定址时高出60%。由此可知，即使FB-DIMM在内存模组的选用上非常具有弹性，却可能出现极大的效率差异，初始采购规画时必须仔细在需求与未来扩充上加以考量。
FB-DIMM可能存在的问题
从技术上来看，FB-DIMM架构的确能解决电脑系统在内存容量、存取效率和成本的问题，但是这种架构也有一些值得考虑的问题。
首先是内存在传输过程中，需要经过至少各一次串行/并行及并行/串行转换，这是FB-DIMM比并行架构多支出的第一个工作时间。其次，因为资料都是先通过AMB判断处理，再实际传递到DRAM芯片上，所以在理论上会比从前的内存架构多一些延迟。根据Intel的实验，当FB-DIMM架构使用在较低速率场合时，这些延迟的影响便相对明显，单一FB-DIMM模组产生的延迟约为3~9ns，每增加一个模组就增加2~6ns。
传统并行式内存架构和单内存列FB-DIMM模组架构的效能比较曲线
传统并行式内存架构和双内存列FB-DIMM模组架构的效能比较曲线
不过，以上劣势在高速内存存取时，就会逐渐消失。原因非常简单，并行传输在速度愈高的时候，线路干扰和延迟情况便愈严重，但FB-DIMM只要提高AMB频率便能将延迟缩短。同样的高速传输条件，在此消彼长之下，FB-DIMM就成为效率较佳的解决方案。根据Intel测试，使用4通道、每通道一组单内存列模组的FB-DIMM解决方案，在资料流量超过4GB/s前后，就开始呈现效率优势;如果使用双内存列模组，效能的领先更为明显。
FB-DIMM的另一个挑战，是AMB技术难度颇高，目前供应商也少，芯片价格相对偏高，因此单一模组的成本比旧规格模组还高。就像任何新技术产品一样，这个问题会随着市场规模成长、相关技术成熟而逐渐消失。就整个系统对内存的需求而言，使用传统架构想达到FB-DIMM能做到的程度，总成本恐怕远甚于FB-DIMM模组增加的部分。
DRAM I/O[Mb/s] 533 667 800 1066 1333 1600
AMB I/O[Gb/s] 3.2 4.0 4.8 6.4 8.0 9.6
散热和能量消耗，也是FB-DIMM要面临的重大难题。因为FB-DIMM架构支持6个内存通道，所以每个AMB I/O的速度相当于内存芯片6倍时，恰好能使内存系统效能发挥到最大。
目前FB-DIMM 1.0规格使用的是DDR2-533/667/800，AMB I/O速度已达4.8Gb/s，如果持续导入更快的DDR2内存芯片，AMB的资料处理能力将十分惊人。
由上表可以看出来，FB-DIMM上AMB芯片的运作频率绝对不低，且需负担相当繁重的资料传送、串/并行转换等工作。这使得任一模组的能量消耗比并行式内存模组高出不少，发热的问题相对提升。此困难要获得解决，比前几个问题稍难些，也许未来能透过半导体制程的改进而得到抒解。
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