2006年11月10日——全球领先的创新存储产品企业奇梦达股份公司（NYSE：QI）今日宣布推出全球首款183兆赫双数据速率同步移动RAM（DDR366）。这款全新的存储器件采用60球细密球型网数组封装（FBGA封装），存储容量为512Mb, 工作电压为1.8V，符合JEDEC DDR标准。为提高系统制造
业界首款性能高达183兆赫的移动RAM，满足移动应用不断增长的带宽需求，同时实现最低功耗
2006年11月10日——全球领先的创新存储产品企业奇梦达股份公司（NYSE：QI）今日宣布推出全球首款183兆赫双数据速率同步移动RAM（DDR366）。这款全新的存储器件采用60球细密球型网数组封装（FBGA封装），存储容量为512Mb, 工作电压为1.8V，符合JEDEC DDR标准。为提高系统制造商对高带宽市场需求的回应，奇梦达率先推出的183赫兹移动RAM将以其低功耗满足具有多种应用的消费类手持终端不断增长需求。
“从多媒体手机到MP3音频/视频播放器和数码相机等各类便携式终端日益普及，拉动了市场对高性能和低功耗存储解决方案的需求。”奇梦达管理委员会成员Thomas Seifert指出，“随着这些移动电子产品功能越来越丰富，相关芯片必须能够支持高性能特性，同时不会导致整体功耗大幅上升。随着首款183兆赫1.8V移动RAM的推出，奇梦达进一步巩固了自己在面向便携式终端的高速度、低功耗存储解决方案领域的领先地位。”
这款全新高速移动RAM的数据传输速率为366兆比特/秒，比标准DDR266 DRAM快30%。在系统设计不改变的前提下，该性能记录是采用常规BGA封装方式实现的。作为移动RAM市场的领导者，奇梦达与主要的客户和领先处理器厂商密切合作，确保2007年推出的系统平台的互通性。
这款移动RAM不但具备电池供电设备所需的超低功耗，而且采用了适用于板卡空限受限产品的极其紧凑的芯片级封装。立足于自身的节电型沟道技术，以及电源管理特性，例如TCSR（温度补偿自刷新）、PASR（部分阵列自刷新）、OTCS（片上温度传感器）和DPD（深度省电）模式，奇梦达在最新推出的移动RAM上实现了工作电流最小化，从而延长了电池工作时间。
供货情况
奇梦达正在供应存储密度高达512Mb、工作电压为2.5V和1.8V、速率为183兆赫的SDR和DDR移动RAM。183兆赫DDR366移动RAM的设计样品现已供货，其存储密度为512Mb，电源电压为1.8V，采用60球FBGA封装。
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