用料奢侈★已不可形容
从外观来看的确很大气，骨子里流露出了一个拥有近20年的板卡大厂所具备的技术、底蕴。用料也绝不含糊，从观察背面的薄膜电容和庞大的PWM群，就已经隐约的感觉到此卡的豪华奢侈程度已经不能用语言来形容了。
真12+2相混合供电
GF110-275-A1是GTX570的代号
采用三星0.4ns的显存颗粒 理论频率为5000MHz
奢侈的供电系统详解：
供电系统
8PIN主要是提供给GF110使用，显存使用的是6PIN中的供电。首先电流通过接口旁边的1R0扼流线圈进入日化的高压滤波电容，此时是高压低电流，通过PWM的信号指令，控制位于背部的上桥单路Mofset和下桥的双路Mosfet分别闭合一次，控制电流的通过，经过贴片式铁素体电感的滤波后，进入低压高流钽聚合电容之后，就可以直接供给显存使用了，当然，在用电器（显存）的末端还会有一大堆修正补偿电路（大部分是快速贴片电容）用于最后的补偿。
拆开核心供电Mosfet的散热片
我们看到了核心供电那一排威武的Mosfet，这很明显是核心供电的上桥。由于技嘉所使用的PWM芯片仅支持6相，如何实现12相核心供电的呢？
核心供电工作原理
看背面除了华邦的传感器之外，还有一些14管脚的芯片，它们就是实现真12相的关键所在——来自德州仪器的子PWM，分别接受来自总PWM的信号，正好每颗子PWM可以控制2相，总PWM控制6颗子PWM，这就构成了12相的豪华供电阵容。
电流从供电接口的扼流线圈进行一次整流之后，通过PWM信号，来控制1上2下的Mosfet进行闭合，经过铁素体电感和电容的双重过滤，将高频低频的电磁波全部滤掉后，进入最后的修正补偿阶段，最终供给GF110使用。
双重布线 满足核心供电的苛刻需求
由于能量守恒定律，在突然负载，或者是超频的时候，晶体管的闭合频率增加的同时电流突然增大，造成电压会瞬时下降，这时候快速薄膜电容的作用就发挥出来了——由于在掉压与PWM进行电压补偿之间的这段时间内，薄膜电容发挥它强大而快速的填充能力，将电压和电流稳定住，保证了超频的绝对成功率，根据技术角度来说，这5颗薄膜电容应该是以并联的方式接入的。
由于薄膜电容的成本过于高昂，尽管一些高端的显卡也未必能够见的到一两颗。
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