三星电子于今日发布了内存产品方面的又一标志性产品：节能型单条32GB DDR3服务器内存模组，采用3D TSV(直通硅晶穿孔)封装技术打造。
三星电子于今日发布了内存产品方面的又一标志性产品：节能型单条32GB DDR3服务器内存模组，采用3D TSV(直通硅晶穿孔)封装技术打造。
这款新的32GB RDIMM（Registered DIMM）内存使用30nm级别工艺制造的DRAM颗粒，默认运行频率为DDR3-1333MHz，功率只有4.5W，三星称该产品为“企业服务器用内存产品中功耗最低级别”。三星使用3D TSV封装技术的内存模组比其普通30nm级别工艺的LRDIMM产品功耗平均低约30%。
TSV封装技术的优势在于能使芯片像三明治一样多层堆叠，提高封装密度，使得内部连接路径更短，相对使芯片间的传输速度更快、噪声小、效能更佳与单层封装技术的产品相当。三星旗下的高密度TSV封装RDIMM内存产品现已进入试产阶段，并且将在不久后实现大规模量产。
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