近日，在映众（Inno3D）的中文微博上曝光了一款GeForce GTX580新版的工程版显卡谍照，其最大的特色就是采用了映众（Inno3D）独家钛合力供电技术，包括：DirectFET MOSFET，铁素电感以及军工全固态电容；此外，这款GeForce GTX580还配备了两个HDMI与两个DVI接口，支持四屏输出
近日，在映众（Inno3D）的中文微博上曝光了一款GeForce GTX580新版的工程版显卡谍照，其最大的特色就是采用了映众（Inno3D）独家钛合力供电技术，包括：DirectFET MOSFET，铁素电感以及军工全固态电容；此外，这款GeForce GTX580还配备了两个HDMI与两个DVI接口，支持四屏输出功能！
映众（Inno3D） GTX580工程版正面
从照片上可以看到，映众（Inno3D）GeForce GTX580的版型与P1261公版非常相像，我们有理由相信这是一款基于公版升级的产品。
映众（Inno3D） GTX580工程版背部走线
这款映众（Inno3D）GeForce GTX580应该还是一款工程样卡，显卡金手指上的保护膜还未撕去，而一些地方也有手工焊接的痕迹。
映众（Inno3D） GTX580工程版PCB
供电部分是这款产品的特色所在，其采用了目前最先进的DirectFET MOSFET。DirectFET MOSFET是由国际整流器(IR)公司推出一种的全新封装技术，其完全颠覆传统MOSFET的封装形式，并没有采用其它封装形式常用的塑封壳，而是采用铜金属外壳覆盖。据厂商表示，这种DirectFET封装的MOS管不仅转换效率更高，同时发热量更低，散热性能更强，特别有助于提升显卡的超频性能。
映众（Inno3D） GTX580工程版供电
DirectFET MOSFET采用的是一上一下的设计，而非传统MOSFET一上两下的布局。DirectFET MOSFET的体积相当小，与其它MOSFET相比，采用DirectFET封装的MOSFET没有引脚，DirectFET封装采用直接芯片粘贴，没有线压焊或者引线框，大大降低了封装感抗和封装阻抗。
相比传统的MOS管，DirectFET MOSFET不仅功耗大幅度降低，而且发热量更低，散热效能更好（同等条件下DirectFET MOSFET的温度也要比传统的MOSFET低10℃以上），同时拥有高达85.83%以上的供电电路转换效率，因此更适合高端显卡使用。
映众（Inno3D） GTX580工程版接口
除了DirectFET MOSFET之外，映众（Inno3D）这款GeForce GTX580还配备了两个HDMI与两个DVI接口，据有关人士透露，这款产品可以支持四屏同时输出。目前NVIDIA单卡仅支持双屏输出，不少厂商纷纷自己开发多屏输出方案。对于GTX580这种旗舰显卡而言，多屏输出无疑是非常有必要的。
此前映众（Inno3D）曝光过一款业内首次采用DirectFET MOSFET的GTX560 Ti显卡，而这款GeForce GTX580则是第二款采用DirectFET MOSFET的显卡，具体细节还未透露。本站也将继续关注此款产品，争取在第一时间为大家送上最精彩的评测！
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