1.35V就上2133 三星30nm窄版黑条评测

PChome | 编辑: 孙伟 2011-11-26 05:00:00原创 一键看全文

今年下半年三星再次发力推出了新一代的30纳米级内存产品,依然保持着窄版黑色PCB的外观,但默认频率即达到DDR3 1600的水平,而电压则达到1.35V低压水品,已经符合DDR3L的标准。从1333到1600的演化自然是大趋所示,在DDR4出来之前,后续的产品或许会进一步过渡到DDR3 1866。

SNB平台助力加速 测试平台和规格说明

本次笔者分别尝试了台式机4GB和2GB内存的超频性能,内存测试的意义在于挖掘内存的潜力。本次测试分为两个部分:超频性能、延迟优化。当然,由于笔者只有一款4GB和一款2GB内存,因此也只能在单通道模式下进行测试。

测试平台中笔者采用了英特尔最新的酷睿i7 2600K处理器,关闭睿频加速选项。全新的Sandy Bridge平台通过改进的内存控制器,可以支持最高2133MHz乃至2400MHz的内存规格,而不必调节CPU外频,排除因CPU或者内存控制器的因素带来的影响。这也成为了现有进行内存测试的最佳平台。

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