今年下半年三星再次发力推出了新一代的30纳米级内存产品，依然保持着窄版黑色PCB的外观，但默认频率即达到DDR3 1600的水平，而电压则达到1.35V低压水品，已经符合DDR3L的标准。从1333到1600的演化自然是大趋所示，在DDR4出来之前，后续的产品或许会进一步过渡到DDR3 1866。
不到1.35V就上2133 三星4GB窄条小测
默认环境下的CPU-Z截图（点击放大）
首先是4GB DDR3 1600MHz的内存测试，先在默认频率下跑一次AIDA64的内存测试。
在默认1600MHz CL11环境下的AIDA64成绩（点击放大）
此时内存的写入带宽达到12419MB/s，延迟为49.5纳秒。
接下来直接超频至2133MHz尝试，通过华硕的AI Suite软件检测内存电压，经过几经尝试，我们在1.3375V的电压下即可进入系统完成AIDA64的内存测试，此时时序为11-11-11-28。想想过去那些1.65V DDR3 1600的内存吧，先在达成同样的性能你只需要不到1.34V电压。
在1.3375V下顺利超频至2133MHz CL10（点击放大）
在这种环境下内存的写入带宽达到了16530MB/s，而延迟仅为39纳秒。
最后笔者尝试了在默认1600MHz的内存频率下，可以达成的最低时序。最终笔者的成绩为8-8-8-24，或许还可以微调，但是CL7应该是上不了的。
标准电压和默认的1600MHz下延迟从CL11最多降至CL8（点击放大）
在该环境下，内存带宽没有明显变化，但是延迟从49ns降低至44.5ns，此时电压依然为默认的1.35625V，没有变化。
可见这款4GB 30nm级低电压窄条内存相比40nm级标准电压内存，虽然超频能力没有变化，但是同样达成2133MHz频率下，新款内存所需要的电压明显更低。大家可以根据需要稍微加一点电压，但是这种内存一般并不吃电压。所以即便进一步加压，也不一定能够超频至2400MHz。
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