今年下半年三星再次发力推出了新一代的30纳米级内存产品，依然保持着窄版黑色PCB的外观，但默认频率即达到DDR3 1600的水平，而电压则达到1.35V低压水品，已经符合DDR3L的标准。从1333到1600的演化自然是大趋所示，在DDR4出来之前，后续的产品或许会进一步过渡到DDR3 1866。
同样可上2133MHz 2GB型号超频尝试
对于年初的40纳米级系列内存，虽然4GB型号可以超频至2133MHz，但是2GB型号却只能超到1600MHz，不得不说是个遗憾。那么对于全新的30纳米级内存，是否能够弥补这一缺憾呢？
2GB内存达成了2133MHz CL10的水平（点击放大）
笔者直接在BIOS当中大胆地将频率调制2133MHz，电压依然使用了1.3375V，结果顺利地达成，但是笔者后来尝试，当电压进一步降低至1.325V依然可以完成AIDA64的测试，同时系统不出现花屏的现象，可见该内存还有进一步电压的挖掘潜力。
在1.35V下即可达成1600MHz CL8（点击放大）
然后笔者在1600MHz CL8下也顺利地通过了测试，但是电压为默认的1.35625V。
笔者记得三月份测试40纳米级内存时，曾经在1333MHz CL9下尝试的最低启动电压为1.23V，可以完成PCMark Vantage的内存测试。对于这款内存，加入就以当前1600MHz CL8下，可以达成什么样的电压呢？
在1600MHz CL8下电压降到1.25V依然可以运行（点击放大）
笔者使用华硕AI Suite软件进一步尝试，即便是电压下降到1.25V还是可以完成AIDA64的。
在1600MHz CL8下将电压降到1.23V时出现花屏现象（点击放大）
当笔者将电压进一步下调至1.23125V，出现了花屏现象。显然，1.25V或者1.24V就是这款内存在1600MHz CL8下的极限了。
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