今年下半年三星再次发力推出了新一代的30纳米级内存产品，依然保持着窄版黑色PCB的外观，但默认频率即达到DDR3 1600的水平，而电压则达到1.35V低压水品，已经符合DDR3L的标准。从1333到1600的演化自然是大趋所示，在DDR4出来之前，后续的产品或许会进一步过渡到DDR3 1866。
1.35V就上2133 三星30nm窄版黑条评测
今年3月份三星原厂内存以全新的包装和形象亮相，并给予一年以来DRAM产业低迷态势的一剂强心剂，以独特的“窄版黑色PCB”的高端外观重新激活了DIY市场，40纳米级制程颗粒从此打响。对于这款内存产品笔者当初以“绿色超频内存”包装，意旨那些超频性能不错同时工艺制程领先、功耗更低的内存产品。
今年下半年三星再次发力推出了新一代的30纳米级内存产品，依然保持着窄版黑色PCB的外观，但默认频率即达到DDR3 1600的水平，而电压则达到1.35V低压水品，已经符合DDR3L的标准。从1333到1600的演化自然是大趋所示，在DDR4出来之前，后续的产品或许会进一步过渡到DDR3 1866。
新款30纳米内存依然涵盖从台式机到笔记本用的4GB和2GB版本，频率均为1600MHz。而时序则根据JEDEC的规定跑在11-11-11-28下，同时支持1.35V低电压和1.5V标准电压。这几点在产品令人印象深刻的蓝灰色调包装上均有明确注明。
怎样快速从颗粒上识别30纳米与40纳米的区别，以及是否支持低电压呢？这点笔者曾在3月份的评测中有所提及，现在我们再来了解一下。
对于这几款内存所采用的2Gb颗粒而言，30纳米编号为“K4B2G0846D-HYK0”，而40纳米的编号则为“K4B2G0846C-HCH9”。
其中“K”代表的是三星内存，“4”代表DRAM，“B”代表DRAM种类也就是DDR3，“2G”代表容量也就是2Gb（256MB）的意思，“6”代表电压标准，“D”代表的是校订版本，其实也是指30纳米级，若为“C”则代表40纳米级。
第二段的四个字符“HYK0”，这里我们只关注第二位即可，若为“Y”代表1.35V，如果是“C”则代表1.5V。而“K0”就意味着1600MHz CL11的规格，若为“H9”就代表是1333MHz CL9的规格。
黑色窄版做工不俗 三星30nm内存赏析
采用更先进的30纳米级工艺有利于降低成本，可以缩小封装体积，更好地设计窄版内存，也可以降低发热量，也更加有利于频率的提升，好处多多。目前市场上已经出现一些DDR3 1600窄版和标准板型的裸条内存产品了，但是电压都在1.5V。
全家族欣赏，这下子普通笔记本电脑也可以上DDR3 1600频率的内存了。
依然带有“Planet First”标识，这是三星提出的环保口号，中文意思“地球为先”，旨在强调生产环境中减少温室气体的排放并多生产亲环境的产品，这和下方的烫金“Green DDR3（绿色DDR3内存）”相互呼应。内存颗粒符合RoHS规范，采用无卤素工艺生产。
“Green DDR3”烫金Logo也成为了三星内存的最大特征，注重绿色环保并不意味着无法超频。而在金手指方面，三星只使用了化学镀工艺，因为该工艺如今已经比较成熟，而电镀工艺仍然常见在一些高端内存中。
三星内存的PCB依然采用了更多的激光打孔，用于个PCB层之间线路的连接，或者说是各层线路的交汇处，激光打孔也比普通的通孔设计在电气性能方面更加出色。
尽管没有采用电镀工艺的金手指，但Green DDR3依然保持了用料十足的8层PCB。进一步加强了产品的稳定性。
新的内存在贴片电阻和电容方面的用料同样厚道。在内存颗粒和金手指之间排列的排阻，能起到稳压作用，帮助内存更稳定的工作，提高内存的使用寿命。而在内存颗粒周围一圈围绕着的电容，可以起到滤波和耦合的作用，进一步确保内存的稳定性。
SNB平台助力加速 测试平台和规格说明
本次笔者分别尝试了台式机4GB和2GB内存的超频性能，内存测试的意义在于挖掘内存的潜力。本次测试分为两个部分：超频性能、延迟优化。当然，由于笔者只有一款4GB和一款2GB内存，因此也只能在单通道模式下进行测试。
测试平台中笔者采用了英特尔最新的酷睿i7 2600K处理器，关闭睿频加速选项。全新的Sandy Bridge平台通过改进的内存控制器，可以支持最高2133MHz乃至2400MHz的内存规格，而不必调节CPU外频，排除因CPU或者内存控制器的因素带来的影响。这也成为了现有进行内存测试的最佳平台。
不到1.35V就上2133 三星4GB窄条小测
默认环境下的CPU-Z截图（点击放大）
首先是4GB DDR3 1600MHz的内存测试，先在默认频率下跑一次AIDA64的内存测试。
在默认1600MHz CL11环境下的AIDA64成绩（点击放大）
此时内存的写入带宽达到12419MB/s，延迟为49.5纳秒。
接下来直接超频至2133MHz尝试，通过华硕的AI Suite软件检测内存电压，经过几经尝试，我们在1.3375V的电压下即可进入系统完成AIDA64的内存测试，此时时序为11-11-11-28。想想过去那些1.65V DDR3 1600的内存吧，先在达成同样的性能你只需要不到1.34V电压。
在1.3375V下顺利超频至2133MHz CL10（点击放大）
在这种环境下内存的写入带宽达到了16530MB/s，而延迟仅为39纳秒。
最后笔者尝试了在默认1600MHz的内存频率下，可以达成的最低时序。最终笔者的成绩为8-8-8-24，或许还可以微调，但是CL7应该是上不了的。
标准电压和默认的1600MHz下延迟从CL11最多降至CL8（点击放大）
在该环境下，内存带宽没有明显变化，但是延迟从49ns降低至44.5ns，此时电压依然为默认的1.35625V，没有变化。
可见这款4GB 30nm级低电压窄条内存相比40nm级标准电压内存，虽然超频能力没有变化，但是同样达成2133MHz频率下，新款内存所需要的电压明显更低。大家可以根据需要稍微加一点电压，但是这种内存一般并不吃电压。所以即便进一步加压，也不一定能够超频至2400MHz。
同样可上2133MHz 2GB型号超频尝试
对于年初的40纳米级系列内存，虽然4GB型号可以超频至2133MHz，但是2GB型号却只能超到1600MHz，不得不说是个遗憾。那么对于全新的30纳米级内存，是否能够弥补这一缺憾呢？
2GB内存达成了2133MHz CL10的水平（点击放大）
笔者直接在BIOS当中大胆地将频率调制2133MHz，电压依然使用了1.3375V，结果顺利地达成，但是笔者后来尝试，当电压进一步降低至1.325V依然可以完成AIDA64的测试，同时系统不出现花屏的现象，可见该内存还有进一步电压的挖掘潜力。
在1.35V下即可达成1600MHz CL8（点击放大）
然后笔者在1600MHz CL8下也顺利地通过了测试，但是电压为默认的1.35625V。
笔者记得三月份测试40纳米级内存时，曾经在1333MHz CL9下尝试的最低启动电压为1.23V，可以完成PCMark Vantage的内存测试。对于这款内存，加入就以当前1600MHz CL8下，可以达成什么样的电压呢？
在1600MHz CL8下电压降到1.25V依然可以运行（点击放大）
笔者使用华硕AI Suite软件进一步尝试，即便是电压下降到1.25V还是可以完成AIDA64的。
在1600MHz CL8下将电压降到1.23V时出现花屏现象（点击放大）
当笔者将电压进一步下调至1.23125V，出现了花屏现象。显然，1.25V或者1.24V就是这款内存在1600MHz CL8下的极限了。
总结：注重体验和稳定性玩家的首选
下面让我们来简单总结一下全新的三星30纳米级DDR3L低电压内存的特点吧：
1.全新的内存在外观、做工和用料方面都没有变化，依然保持原厂颗粒、8层PCB、足量的排阻和贴片电容，在当前内存市场急剧缩减的环境下三星并未选择主打廉价，因此新的内存售价也并不低；
2.1600MHz的频率可谓是DDR3内存进一步推进的标志，也是未来一年内的主流。但相比市面上同类DDR3 1600MHz普条产品，三星30纳米级内存还支持1.35V的低电压，级DDR3L标准，技术上仍处于领先地位。
3.它和其上一代40纳米级内存一样都可以在SandyBridge平台上超频至2133MHz，而且都无法在CL9的时序下达成，但是全新的30纳米级内存仅需要不到1.35V电压即可达成，相比上一代需要1.48V依然是个不小的进步；
4.上一代产品的2GB型号超频性能不佳，无法达成1866MHz或者更高的频率，而新一代产品为我们弥补了这一缺憾，无论是2GB还是4GB都能够超频至2133MHz频率。
5.新一代笔记本内存也同样达到了1600MHz 1.35V超低电压的规格，因此无论是游戏玩家还是注重节能的用户，都是非常不错的选择。它有着和台式机内存同样出色的做工和用料，相信如果笔记本支持超频的话也可以尝试一下。
当然如果注重性价比的用户就可能不太合适三星原厂内存，然而对于当前内存白菜价的大环境来看，相信这对于注重体验和稳定性的玩家来说，并不会是问题。
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