今年下半年三星再次发力推出了新一代的30纳米级内存产品，依然保持着窄版黑色PCB的外观，但默认频率即达到DDR3 1600的水平，而电压则达到1.35V低压水品，已经符合DDR3L的标准。从1333到1600的演化自然是大趋所示，在DDR4出来之前，后续的产品或许会进一步过渡到DDR3 1866。
1.35V就上2133 三星30nm窄版黑条评测
今年3月份三星原厂内存以全新的包装和形象亮相，并给予一年以来DRAM产业低迷态势的一剂强心剂，以独特的“窄版黑色PCB”的高端外观重新激活了DIY市场，40纳米级制程颗粒从此打响。对于这款内存产品笔者当初以“绿色超频内存”包装，意旨那些超频性能不错同时工艺制程领先、功耗更低的内存产品。
今年下半年三星再次发力推出了新一代的30纳米级内存产品，依然保持着窄版黑色PCB的外观，但默认频率即达到DDR3 1600的水平，而电压则达到1.35V低压水品，已经符合DDR3L的标准。从1333到1600的演化自然是大趋所示，在DDR4出来之前，后续的产品或许会进一步过渡到DDR3 1866。
新款30纳米内存依然涵盖从台式机到笔记本用的4GB和2GB版本，频率均为1600MHz。而时序则根据JEDEC的规定跑在11-11-11-28下，同时支持1.35V低电压和1.5V标准电压。这几点在产品令人印象深刻的蓝灰色调包装上均有明确注明。
怎样快速从颗粒上识别30纳米与40纳米的区别，以及是否支持低电压呢？这点笔者曾在3月份的评测中有所提及，现在我们再来了解一下。
对于这几款内存所采用的2Gb颗粒而言，30纳米编号为“K4B2G0846D-HYK0”，而40纳米的编号则为“K4B2G0846C-HCH9”。
其中“K”代表的是三星内存，“4”代表DRAM，“B”代表DRAM种类也就是DDR3，“2G”代表容量也就是2Gb（256MB）的意思，“6”代表电压标准，“D”代表的是校订版本，其实也是指30纳米级，若为“C”则代表40纳米级。
第二段的四个字符“HYK0”，这里我们只关注第二位即可，若为“Y”代表1.35V，如果是“C”则代表1.5V。而“K0”就意味着1600MHz CL11的规格，若为“H9”就代表是1333MHz CL9的规格。
网友评论