基准测试：随机读写VS队列深度
基于Iometer 2008软件，分别对每个硬盘进行QD1、QD2、QD4、QD8、QD16和QD32下的4KB随机读取性能测试，而数据模型依然分为“Pseudo Random”和“Repeating Bytes”两种。结果绘制为折线图，以此来观察每个固态硬盘对NCQ的优化能力。
可以将此图表作为前面的汇总，我们可以总结出，得益于三星全新MDX主控和21纳米Toggle 2.0闪存的完美搭配，无论在低队列深度下还是高队列深度，840 PRO都表现极佳。浦科特也有着类似的状态，全新Marvell 88SS9187主控和东芝19纳米Toggle 2.0闪存的搭配，同样表现优异。
而OCZ Vector想必则是吃了闪存标准的亏，与Toggle 2.0对应的是ONFI3标准，但Vector所采用的美光25纳米闪存依然是ONFI2，在测试中只能是后来居上，所以这就是我们接下来的期待。
LSI SandForce阵营延续了我们上一页的判断，威刚SX910出类拔萃。而Crucial m4则验证了我们前面介绍时所阐述的问题，由于对8KB Page的优化不佳，它在这项测试中的表现也只能是中规中矩，若是换成128GB版本，则会提高很多。
从这个走势图就可以看到OCZ Vector和Vertex 4的巨大优势，特别是在QD1~QD3下可谓鹤立鸡群，这对桌面应用环境是相当重要的。三星840 PRO则变成了后来居上，浦科特M5 Pro只在QD32下表现抢眼，低队列深度下还需优化，事实上前几代浦科特的产品也有着类似的特点。
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