超迷你PCB，内部全进化
840 EVO内部核心架构的改进
●第五代三核心MEX主控
性能和容量的升级自然源于内在的变化：三星840 EVO固态硬盘采用了全新的MEX主控，架构上依然是三核心ARM Cortex-R4主控，但是频率比上一代MDX主控的300MHz提升到400MHz，使得QD1下4KB随机读取性能的进一步提升。
●19nm Toggle 2.0闪存成就128Gb die
闪存方面，840 EVO依然采用3bit MLC闪存，也可以称作是TLC，依然是Toggle 2.0标准。不过制程却从2xnm进化到1xnm,并且实现了128Gb die，因此通过8层封装技术即可实现单颗NAND颗粒128GB的容量，搭载8个这样的颗粒即可达成1TB容量！
不过三星的1xnm Toggle 2.0闪存和东芝的1xnm Toggle 2.0闪存的一个不同之处在于前者仍采用8KB Page而后者则为16KB Page，包括IMFT的20nm ONFI 3.0闪存同样为16KB Page。更大容量的Page需要更加细致的优化才能保证4KB随机读写性能，在这方面三星所要做的优化就会更容易，加上MEX主控频率的提升，QD1下的4KB随机读取性能提高到10K IOPS就在情理之中了。
●外置DRAM缓存容量提高至1GB
128Gb die让840 EVO拥有了更大的容量，而这也就需要编写更大规模的映射表，否则1TB的版本很难做到和500GB的性能相同。为此840 EVO将DRAM缓存的容量进一步增大至1GB，750GB和1TB版本均采用了1GB LPDDR2-1066缓存，而上一代840最大为512MB。
PCB正面从右至左分别为MEX主控、缓存颗粒和闪存颗粒
背面则只有一个闪存颗粒
超小的PCB尺寸
●最新一代先进信号处理算法
840 EVO的另一项升级在于最新一代的“先进信号处理算法（Advanced Signal Processing Alogrithm）”。因为随着闪存制程提升至10nm级水平，读取过程中的出错率比20nm级时代进一步增加，这就需要在ECC纠错算法之外，再针对读取电压进行额外的修正，才可以降低出错率。
更小的制程工艺，需要更先进的信号处理算法提高耐久度
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