跑分真相：跑分强心剂-SLC缓存模式
另外一种“作弊”则是更加隐蔽的“SLC缓存模式”，这是一种从2012年开始被越来越多的消费级SSD所采用的技术。简单来讲，这种技术是在MLC或TLC闪存上模拟SLC的工作方式，在数据写入操作时只使用2个状态而非MLC的4个或TLC的8个，降低操作复杂度，以此来获得速度的大幅增加。
“SLC缓存模式”产生的意义
这样做的目的是什么？随着闪存制程的缩小以及TLC闪存的启用，闪存的编程复杂度越来越高，延迟也会越来越大，造成的直接影响就是随机写入性能的降低，而在实际应用环境中却恰恰存在着大量的随机写入操作，所以最有效的办法就是设置缓存。不过，现在的SSD中DRAM缓存只存放映射表不存放数据，所以也就产生了用NAND闪存作为缓存的做法。
这种做法就是“SLC缓存模式”，因为缓存需要很快的速度，所以才用MLC或TLC来模拟SLC的工作方式来达到快速写入。然后再对这些随机数据进行整理，在SSD处于低负载或闲置状态时再持续释放出来到非“SLC缓存”区域。
很显然的是，由于这部分缓存区域并没有使用MLC或TLC全部的状态，所以这部分区域实际上只使用了实际容量的1/2或1/3，同时整理再释放的操作很可能增加了写入放大导致额外的损耗，那么如何权衡好“SLC缓存模式”的区域大小则是十分重要的问题，在这一点上各大厂商有着不同的做法。
采用“SLC缓存模式”的SSD有哪些？
OCZ Vertex 4系列SSD最早使用了这种技术，它的做法是全盘都工作在“SLC缓存模式”上，属于性能最大化的做法。这意味着，只要你不是一次性地满负载写入全盘容量一半以上的数据，在大部分时间里都可以享受到最快的写入速度。
东芝Q系列256GB的SLC缓存模式，满负载写入一半容量之后写入性能大跌
在本次横评的参测产品中东芝Q系列256GB也采用了和OCZ几乎相同的做法，我们通过HDTach RW软件就可以得到这个结果，全盘SLC模式使得它在前半部分容量中可以全速运行，而后半部分则跌至一半。而且，在前半部分用完之后，全盘不仅要工作在非SLC模式上，同时还要对前半部分的数据进行整并，否则无法写满整个256GB的空间。
三星840 EVO的TurboWrite机制，前3GB的速度最高，而后恢复正常
除此之外，三星840 EVO也采用了这种模式，并被命名TurboWrite，不过三星根据不同容量版本设置了从3GB~12GB不同的大小，比如本次测试的840 EVO 250GB就只有3GB。这是因为三星认为对家用应用环境来说很少会出现一次性写入超过3GB数据的情况，换句话说，3GB已经足够。因此三星840 EVO在HDTach RW的全盘测试中只有前面一小部分可以跑在最高速度，其余部分和上一代840没有太大区别。
不要被跑分软件所蒙蔽
相比之下，HDTach RW并不是很多人常用的，以最多见的CrystalDiskMark为例，它默认只生成1GB的数据来测试，显然这么小的数据量全部写到了SLC缓存中，写入速度很容易跑到500MB/s，使得他们个个都变成了跑分王。作为消费者，我们需要稍稍了解一下这些知识，不要被跑分软件的片面性所蒙蔽。
设置1GB数据范围，三星840 EVO 250GB有522MB/s的写入速度（左）
如果设置4GB数据范围，三星840 EVO 250GB的写入速度跌至408MB/s（右）
值得一提的是，闪迪至尊高速系列也采用了一项名为nCache的缓存技术，也是SLC缓存模式的一种，是沿袭了闪迪在存储卡时代的技术积累。不过由于这部分区域并不大，几乎无法在跑分软件中体现，所以CrystalDiskMark跑出来的就是真实成绩。
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