近日，在而美国举办的Flash Memory Summit活动上，SK海力士宣布推出了全球首款4D闪存V5。该闪存采用512Gb TLC颗粒，采用96层堆叠、I/O接口速度1.2Gbps（ONFi 4.1标准）、面积13平方毫米，今年第四季度出样。
【PChome整机频道资讯报道】近日，在而美国举办的Flash Memory Summit首日活动已经结束，活动上的干货不少。在Keynote环节，倒数第二个出场（排在我国的长江存储前）的是SK海力士，它在NAND市场的全球份额排名第五，DRAM份额全球第二。
通过SK海力士介绍，他们在3D NAND的技术路线选择图中，强调了CTF（Charge Trap Flash，电荷捕获型）比Floating Gate（浮栅型）存储单元面积更小、速度更快、更耐用（P/E次数多）。
其实三星从2013年的第一代V-NAND 3D闪存就开始使用CTF了，东芝/西数（闪迪）的BiCS亦是如此。美光/Intel还是坚持浮栅，不过这倒无所谓，毕竟他们有更厉害的3D Xpoint（基于相变内存，还一说是ReRAM磁阻式内存）。
介绍闪存技术完毕后，SK海力士宣布推出了全球首款4D闪存。从现场给出的技术演示来看，4D闪存和此前长江存储的Xtacking十分相似，只不过外围电路（PUC，Peri.Circuits）在存储单元下方，好处有三点，一是芯片面积更小、二是处理工时缩短、三是成本降低。
参数方面，SK海力士称业内第一款4D闪存V5将会采用512Gb TLC，采用96层堆叠、I/O接口速度1.2Gbps（ONFi 4.1标准）、面积13平方毫米，今年第四季度出样。BGA封装的可以做到1Tb（128GB），模组最大2TB，塞到2.5寸的U.2中更是可以做到64TB，2019年上半年出样。
性能方面，V5 4D芯片面积相较于V4 3D减小20%、读速提升30%、写速提升25%。另外，V5 4D也规划了QLC闪存，通过96层堆叠，单Die最小1Tb，明年下半年出样。
SK海力士内部的4D闪存已经推进到了128层堆叠，很快可以做到单芯片512GB，2025年做到单芯片8TB。目前，SK海力士的3D NAND是72层堆叠，单芯片最大512Gb（64GB），首款企业级产品PE4010已于今年6月份出货给微软Azure服务器。
网友评论