SK海力士于去年10月份宣布4D NAND闪存技术，采用单芯片四层架构设计，近日宣布已经研发成功并批量生产128层堆叠的4D NAND闪存芯片。
SK海力士（SK hynix）宣布，已经研发成功并批量生产128层堆叠的4D NAND闪存芯片，而这距离去年量产96层4D闪存只过去了八个月。SK海力士由此实现了业内最高的闪存垂直堆叠密度，单颗芯片集成超过3600亿个闪存单元，每一个可存储3个比特位，为此SK海力士应用了超同类垂直蚀刻技术、高可靠性多层薄膜单元成型、超快低功耗电路等一系列创新技术。
新的128层4D闪存单颗容量1Tb(128GB)，是业内存储密度最高的TLC闪存，每颗晶圆可生产的比特容量也比96层堆叠增加了40％。虽然包括SK海力士在内多家厂商都研发出了1Tb QLC闪存，但这是TLC闪存第一次达到单颗1Tb。目前闪存市场规模中TLC占比超过85％，其可靠性和寿命都优于QLC。另外，新的闪存可以在1.2V电压下实现1400Mbps的数据传输率，可用于高性能、低功耗的手机存储以及企业级SSD。
SK海力士于去年10月份宣布4D NAND闪存技术，单芯片四层架构设计，结合了3D CTF（电荷捕获闪存）设计、PUC（Peri. Under Cell）技术，有助于缩小芯片面积。利用这种架构设计，SK海力士在从96层堆叠到128层堆叠时，虽然层数增加了三分之一，但是制造工艺步骤减少了5％，整体投资也比之前减少了60％。
SK海力士将在今年下半年批量出货128层1Tb 4D闪存，并开始一系列相关产品研发。SK海力士还透露，正在研发176层堆叠的下一代4D NAND闪存。
（文中图片来自网络）
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